集成电路的基本制造工艺.pptxVIP

微电子学：Microelectronics 微电子学——微型电子学 核心——集成电路 集成电路：Integrated Circuit，缩写IC 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能;封装好的集成电路;硅单晶片与加工好的硅片;集成电路芯片的显微照片;;;集成电路的制造需要非常复杂的技术，它主要由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可以不去深入研究，但是作为从事系统设计的工程师，有必要了解芯片设计中的工艺基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺制造的能力，而不是工艺的具体实施过程。 由于SOC（系统芯片）的出现，给IC设计者提出了更高的要求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系统、电路，也要懂工艺、制造。;半导体材料：硅 1 ．电阻率： 从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下： 金属： ρ10 Ω·cm 半导体：ρ=10 Ω·cm~10E4 Ω·cm 绝缘体：ρ10E4 Ω·cm 2 ．导电能力随温度上升而迅速增加 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显。;3．半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化 一般材料纯度在99.9％已认为很高了，有0.1％的杂质不会影响物质的性质。而半导体材料不同，纯净的硅在室温下：?＝21400Ω·cm 如果在硅中掺入杂质磷原子，使硅的纯度仍保持为99.9999％。则其电阻率变为：?＝0.2Ω·cm。因此，可利用这一性质通过掺杂质的多少来控制硅的导电能力。 4．半导体的导电能力随光照而发生显著变化 5．半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用而发生变化;6 ． P型和N型半导体 两种载流子：带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 纯净硅称为本征半导体。本征半导体中载流子的浓度在室温下：T＝300K 当硅中掺入Ⅴ族元素P时，硅中多数载流子为电子，这种半导体称为N型半导体。 当硅中掺入Ⅲ族元素B时，硅中多数载流子为空穴，这种半导体???为P型半导体。;集成电路制造工艺;硅圆片工艺;200mm商用直拉单晶硅;;硅片直径变大的好处;集成电路制造工艺简介 一、氧化工艺 一个MOS集成电路中，主要元件是；PMOS，NMOS，R，C，L及连线。MOS是Metal Oxide Semiconductor Silicon的缩写。MOS管有三种主要材料：金属、二氧化硅及硅构成。;氧化炉 ;改进的氧化炉 ;氧化：制备SiO2层 SiO2的性质及其作用 SiO2是一种十分理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟酸发生化学反应。 氧化硅层的主要作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;二、掺杂工艺 在衬底材料上掺入五价磷或三价硼，以改变半导体材料的电性能。掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。 目前，有两种掺杂方式：扩散和离子注入。;1. 扩散：扩散炉与氧化炉基本相同，只是将要掺入的杂质如P或B的源放入炉管内。 扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 实验分析表明：P的浓度分布可由下式表示： 其中，NT：预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度 D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制NT 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。;扩 散;杂质横向扩散示意图;固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等;利用液态源进行扩散的装置示意图;2、离子注入;离子注入系统的原理示意图;离子注入到无定形靶中的高斯分布情况;Rp：平均浓度 ?p：穿透深度的标准差 Nmax=0.4NT/ ?p NT：单位面积注入的离子数，即离子注入剂量;离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。 2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。 而E0与NT都是可以控制的参数。因此，离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。;三、化学汽相淀积（CVD）;淀积工艺主要