实验六 半导体器件仿真 实.docVIP

实验六 半导体器件仿真实验 姓名:林少明 专业：微电子学 学【实验目的】 1、理解半导体器件仿真的原理，掌握Silvaco TCAD 工具器件结构描述流程及特 性仿真流程； 2、理解器件结构参数和工艺参数变化对主要电学特性的影响。 【实验原理】 1. MOSFET 基本工作原理（以增强型 NMOSFET 为例）： 图 1 MOSFET 结构图及其夹断特性 当外加栅压为 0 时，P 区将 N+源漏区隔开，相当于两个背对背 PN 结，即使在源漏之间加上一定电压，也只有微小的反向电流，可忽略不计。当栅极加有正向电压时，P 型区表面将出现耗尽层，随着 VGS 的增加，半导体表面会由耗尽层转为反型。当 VGSVT 时，表面就会形成 N 型反型沟道。这时，在漏源电压 VDS的作用下，沟道中将会有漏源电流通过。当 VDS 一定时，VGS 越高，沟道越厚，沟道电流则越大。 2. MOSFET 转移特性 VDS 恒定时，栅源电压 VGS 和漏源电流 IDS的关系曲线即是 MOSFET 的转移特性。 对于增强型 NMOSFET，在一定的 VDS 下， VGS=0 时， IDS=0；只有 VGSVT时,才有 IDS0。图 2 为增强型 NMOSFET 的转移特性曲线。 图 2 增强型 NMOSFET 的转移特性曲线 图中转折点位置处的 VGS（th） 值为阈值电压。 3. MOSFET 的输出特性 对于 NMOS 器件，可以证明漏源电流： 令，称为增益因子。 （1） 由于 VDS 很小，忽略项，可得： IDS 随 VDS 而线性增加，故称为线性区。 （2） 增大，但仍小于，项不能忽略。故： 在一定栅源电压下，VDS 越大，沟道越窄，则沟道电阻越大，曲线斜率变小。根据③式知，IDS-VDS 关系曲线为通过原点的抛物线。当 VDS=(VGS-VT)时，IDS-VDS 关系曲线斜率为 0，表明此时沟道电阻很大。 在该区，沟道电阻逐渐变大，称为可变电阻区，或非饱和区。 （3） 将代入①式，得到 此时，漏电流 IDS 与漏源电压 VDS 无关，即达到饱和，IDSat则称为饱和漏电流。 根据上述分析，可分析 MOSFET 的输出特性曲线： 图 3 增强型 NMOSFET 输出特性 4. 影响阈值电压的因素： 可以证明，对于 NMOSFET 的阈值电压 VT 表达式为： 其中， Cox 为栅电容，为费米势，为接触电势差， Qox 为氧化层电荷密度。 由公式⑤可知，影响阈值电压的主要由栅电容 Cox、衬底杂质浓度、氧化层电荷密度 Qox 等因素决定。 由可知，氧化层厚度 tox 越薄，则 Cox 越大，使阈值电压 VT 降低。 费米势：，当 P 区掺杂浓度 NA 变大，则费米势增大，阈值电压 VT 增大 。 氧化层电荷密度 Qox 增大，则 VT 减小。 5. 影响 MOSFET 输出特性的因素 由①式可知，影响输出曲线的因素为增益因子β和阈值电压 VT。已知，因此，当沟道长度 L 增大时，β减小。由原理 4 知，影响 VT 的主要因素有栅电容 Cox、衬 底杂质浓度、氧化层电荷密度 Qox 等因素。 【实验仪器】 计算机，Silvaco TCAD软件 【实验内容】 1.采用ALTAS器件仿真工具对NMOS器件电学特性仿真 （1）I-V输出特性曲线 a、Vds=0.1V时，Id-Vgs曲线。 b、Vgs分别为3.3V、4.4V和5.5V时，Id-Vgs曲线。 （2）器件参数提取，如阈值电压、Beta和Theta等。 2.改变器件结构参数和工艺参数，分析其对NMOS器件主要电学特性的影响。 （1）栅氧厚度tox （2）沟道长度L （3）衬底杂志浓度 【实验数据记录及分析】 1.采用ALTAS器件仿真工具对NMOS器件电学特性仿真 在 Silvaco 中建立的指定参数器件模型结构如图示： 图4指定参数 MOSFET 结构 模型中，氧化层厚度 tox 为 0.1 μm，沟道长度 L 为 1 μm，p型衬底浓度10^17cm-3,n阱掺杂浓度为10^19cm-3。 选用载流子统计模型(fermidirac)对器件进行模拟，固定漏源电压为 0.1V。所得的转移特性曲线如图所示： 图5 转移特性曲线图 当 VGS 分别为 3.3、4.4、5.5V 时，模拟出器件的输出曲线如图示： 图6 器件输出特性曲线 由下至上的曲线分别代表 VGS 为 3.3、4.4、5.5V 的情况。由该模拟结果可得，在 VGSVT 的情况下，随着 VGS 的增大，饱和漏源电流 IDSat 增大，与式④ 所分析的结果相符合。 观察曲线可知，当 VDS 较小时，曲线近似呈线性，随着 VDS 增大，曲线趋于平缓，与实验原理分析结果相符。 提