离子布植对双扩散汲极金氧半场效电晶体之影响.pdf

國 立 交通 大 學 電機資訊學院 電子與光電學程 碩 士論 文 離子佈植對雙擴散汲極金氧半場效電晶體之影響 Impact of Ion Implantation Condition on the Characteristics of Double-Diffusion Drain MOSFETs 研 究 生：沈啟誠 指導教授：崔秉鉞 教授 中 華民 國 九 十 三 年 十一 月 離子佈植對雙擴散汲極金氧半場效電晶體之影響 Impact of Ion Implantation Condition on the Characteristics of Double-Diffusion Drain MOSFETs 研 究 生：沈啟誠 Student ：Chi-Cheng Sheng 指導教授：崔秉鉞 Advisor ：Bing-Yue Tsui 國 立 交通 大 學 電機資訊學院 電子與光電學程 碩 士論 文 A Thesis Submitted to Degree Program of Electrical Engineering Computer Science College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science in Electrics and Electro-Optical Engineering November 2004 Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國九十三年十一月 離子佈植對雙擴散汲極金氧半場效電晶體之影響 研究生：沈啟誠 指導教授：崔秉鉞 國立交通大學電機資訊學院 電子與光電學程 研究所( 碩士班) 摘要 隨著半導體製程的發展，將高壓 高功率元件與傳統互補式金氧半/ 場效電晶體的製程技術整合在一起，已 成為今日應用市場上最重要的 發展。其中雙擴散汲極金氧半場效電晶體是高壓元件中最早被運用的 方式，由於其構造簡單，在製程上並不需要加太多的製程條件及光罩 數。對於操作電壓在 20V 以下之元件而言，雙擴散汲極金氧半場效電 晶體，仍舊是所有高壓元件中的首選。 在本篇論文中，我們首先藉由模擬的方式去探討離子的植入條件 對雙擴散汲極金氧半場效電晶體在電性上的影響，藉此去了解其發生 的物理機制，並將由模擬出的結果及趨 勢，選擇最適