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霍尔电流传感器的研究 摘要：随着新器件和新的控制技术的使用,控制系统中的电流信号不再局限于传统的50Hz正弦波,而可能是各种形状复杂的脉动信号,且主电路和控制回路之间要隔离。传统的电流检测方法已经不能满足这些波形的控制和测量要求,因此必须结合实际需求研究和开发新的电流测量方法和检测设备,其中霍尔电流传感器正是在此背景下诞生的一种性能优越的电流测量装置。 本文以HEC公司的产品为主线，介绍霍尔电流传感器原理,并对HEC各型号的电流传感器的主要性能作了一定的分析，并且列举了霍尔电流传感器的具体应用实例。 关键词： 霍尔效应 霍尔电流传感器 车载应用 一 引言 近年来，随着科技的发展，各种用电设备增多，用电量越来越大，用电环境需求精密，对电流的检测要求日益严格，为了自动检测和显示电流，并在过流、过压等危害情况发生时具有自动保护功能和更高级的智能控制，具有传感检测、传感采样、检测电流或电压的传感器，即霍尔感器便日益被广泛应用于变频调速装置、逆变装置、UPS电源、逆变焊机、变电站、电解电镀、数控机床、微机监测系统、 电网监控系统和需要隔离检测大电流、电压的各个领域中。 二 工作原理 2.1 霍尔效应 2.1.1霍尔效应原理将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场，沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势，如图1所示，这现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。 (a) (b) 图1 霍尔效应原理图 实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即 (1) 或 (2) 式（1）中称为霍尔系数，式（2）中称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv / (mA·T)。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。 如图1（a）所示，一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为 (3) 式中为电子的漂移运动速度，其方向沿X轴的负方向。e为电子的电荷量。指向Y轴的负方向。自由电子受力偏转的结果，向A侧面积聚，同时在B侧面上出现同数量的正电荷，在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场（即霍尔电场），使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力，A、B面之间的电位差为（即霍尔电压），则 (4) 将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有 即 得 (5) 此时B端电位高于A端电位。 若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流 I=nebdV 得 (6) 将(6)式代入(5)式得 (7) 2.2霍尔元件 霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。 InSb和GaAs霍尔元件输出特性见图2(a)、图2(b). 图2霍尔元件的结构和输出特性 2.3霍尔电路 它由霍尔元件、差分放大器和射极跟随器组成。其输出电压和加在霍尔元件上 的磁感强度B成比例，它的功能框图和输出特性示于图3和图4。 这类电路有很高的灵敏度和优良的线性度，适用于各种磁场检测。霍尔线性电 路的性能参数见表3。 图3 霍尔线性电路的功能框图 图4 霍尔线性电路ugn350