04第四讲 场效应管.pptVIP

N沟道耗尽型MOSFET工作状态的判断： 电源极性要求： 判断方法：看两个电压①uGS ② uGD uDS 0 已知uG, uD, uS uGS uGS(off)? uGD uGS(off)? uGD uGS(off)? 截止区 恒流区 可变电阻区 uGD＝ uGS(off) 预夹断 否 是 否 是 是 否 4.2.3 各种FET的特性比较 4.2 MOS场效应管 1、各种FET的特性比较 ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S 2、 uDS的极性决定于沟道性质，N沟道为正，P沟道为负。 3、 uGS的极性 ①JFET的uGS与uDS极性相反； ②增强型MOSFET的uGS与uDS极性相同； ③耗尽型MOSFET的uGS可正、可负或为0。 uGS(off)0 uGS(th)0 uGS(th)0 uGS(off)0 N沟道漏极电流从D→S；P沟道漏极电流从S→D。 1、 符号的箭头方向：N沟道向内，P沟道向外。 4、 转移特性曲线  (P147) 2、FET与BJT的比较 β较大，放大能力较强 gm较小，放大能力较弱 放大能力 制造工艺 结构对称性 导电机理 直流输入电阻 控制方式 工艺复杂，功耗高，集成度较低 工艺简单，功耗低，利于大规模集成 结构不对称，C-E不可以互换 结构对称，D-S可以互换 双极型器件，两种载流子：噪声大，温度稳定性差 单极型器件，一种载流子：噪声小，温度稳定性好 发射结正偏，输入电阻较小， iB≠0 输入电阻很大，栅极不取电流iG≈0 电流控制型器件iB控制iC （β） 电压控制型器件uGS控制iD（gm） BJT FET 这是一个放大电路， 这个电路交直流并存。 直流电路：保证FET工作在恒流区； 交流信号源： uS为待放大的信号。 问题：如何求解支路电流 iG, iD, iS？ 如何求解FET的极间电压 uGS, uDS？ 解决方法： 应用叠加原理 用直流等效电路求解直流量： 用交流等效电路求解交流量： IG, ID, UGS, UDS ig, id, ugs, uds 问题：①直流电路中FET如何处理？ ②交流电路中BJT如何处理？ 注意利用栅极不取电流的特点：IG＝0 , ID=IS 用FET的交流小信号模型代替FET。 RD RS ED + uS - EG iD + - uDS iG + - uGS 4.3 场效应管的交流小信号模型 4.2 MOS场效应管 G D S G D S G D S 共源（CS）组态 共漏（CD）组态 共栅（CG）组态 一、FET的基本组态： 下面以共源组态的N沟道JFET为例，推导FET的交流小信号模型。 S G D id + - uds + - ugs iG 二、 FET的交流小信号模型 自变量取：uGS、uDS; 应变量取：iG、iD 输入、输出端口的V－A关系分别为： 在Q点对iD进行全微分得: - uds + ugs gmugs - + rds FET低频小信号线性模型 G D id S 模型特点：栅极断开；为电压控制型器件。 适用场合：该模型适用于工作在中、低频段的FET，而且与FET的类型和组态无关。 - uds + ugs gmugs - + rds FET低频小信号线性模型 G D id S （过好器件关） 阶段小结 一、半导体器件有什么特点？ PN结为基本结构单元，为非线性器件； 参数的分散性； 对温度的敏感性； 结电容效应； 二、器件符号认识了吗？ ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S a k a k b c e b c e 三、器件的外特性清楚了吗？ 0 uD iD Uon 死区 UD 反向击穿 反向截止 正向导通 uCE iC iB=0 饱和区 BUCEO 击穿区 截止区 临界饱和线 iB=IB5 iB=IB4 iB=IB3 iB=IB2 iB=IB1 放大区 uDS iD 0 0 -4 -1 -2 -3 uGS= uDS IDSS 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 UGS(off) BUDS 预夹断 iD uGS 0 * * * * 双极型三极管：Bipolar Junction Transistor 只有一种极性的载流子参与导电. 三极管 有两种极性的载流子参与导电. 单极型三极管 (场效应管)：Field Effect Transistor 场效应管的分类： 结型（JFET）： 绝缘栅（IGFET）： N沟道