半导体材料与集成电路平面工艺基础.pptVIP

沟道长度0.13?m 特征尺寸 ?? ~ 15 inch ~ 2 cm2 Chip Wafer ?=300mm MEMC Electronic Materials, 摩尔定理：由Intel创始人之一的Moore提出的，被人认为可以获得诺贝尔经济学奖的定理 一块芯片上的晶体管数目大约每隔12个月翻一番（1964年）（1975年修订为18个月） 实现途径：晶体管尺寸减小；芯片尺寸增大； Moore’s Low Moore’s Low World Semiconductor Trade System From: 器件（电路）设计 测试与验证 版图设计与制造 芯片制造 测试?封装?测试 器件生产基本过程 SoC—— System on Chip 芯片系统集成 MEMS—— Micro-Electronic Mechanic System 微电子机械系统 OEIC——Optoelectronic Integrated Circuit 光电子集成系统 MOMES 1）、微电子机械系统（MEMS） 微电子技术与精密机械技术相结合，将微型传感器（力、热、光、电、磁、声）、微型执行器（如：机械）、信号处理与控制电路、接口电路、通信系统以及电源集成一体。 目前主要用硅材料和介质膜通过光刻技术实现 厚：20~30?m 直径：4mm 转速：200rpm 物理要点：振动的质量块电容极板在非惯性系统中受到科氏力的作用，质量块移动而引起电容的变化。 SemiconductorMaterials BasicPrincipleofICPlanarProcessing 半导体材料 和 集成电路平面工艺基础 References：(Materials) 3. 材料科学与技术丛书—半导体工艺， K. A. 杰克逊 等 主编， （科学出版社，1999） Processing of Semiconductors, By Kenneth A. Jackson and Wolfgang Schr?ter, (Wiley-VCH, 1996); Ch1,Ch2 4. 半导体器件的材料物理学基础，陈治明 等，科技版，1999 5. 微电子技术工程—材料、工艺与测试，刘玉岭 等，（电子工业出版社， 2004） 1. Silicon Processing，By Stanley Wolf and Richard N. Tauber， （Lattice Press，2000）; Ch1, Ch2 2. Silicon VLSI Technology—Fundamentals, Practice and Modeling, By Lame D. Plummer et al, (Pearson Education, , 2000) ; Ch3 References：(Processing) 3. Silicon Processing，By Stanley Wolf and Richard N. Tauber， （Lattice Press，2000） 4. ULSI Technology，By G. Y. Chang and Simon. M. Sze， （MiGraw Hill，1996） 5. 半导体制造技术，Michael Quirk, Julian Serda （科学出版社，1999） Semiconductor Manufacturing Technology, (Prentice Hall, 2001) 6. 微电子技术工程—材料、工艺与测试，刘玉岭 等，（电子工业出版社， 2004） 1. The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, By Stephen A. Campbell, (Oxford, 2nd Edition, 2001) 2. Silicon VLSI Technology—Fundamentals, Practice and Modeling, By Lame D. Plummer et al, (Pearson Education, , 2000) 主要教学内容： 第一篇(Overview Materials) 第一章： IC平面工艺及发展概述 第二章：半导体材料的基本性质 第三章：Si单晶的生长与加工 第四章：几种化合物半导体的材料生长与加工 小结: 材料 器件 工艺  第二篇(Unit Process) 第一章：IC制造中的超净和硅片清