扩散硅传感器硅油充灌装置的研究.docVIP

扩散硅传感器硅油充灌装置的研究 ⑦ f一2弓 第3期仪表技术与传感器21 一【摘要】在高精度扩散硅传感器的生产 中,惠需采用一种净化好,充灌效率高的硅 油充灌装置来满足生产需要.该装置解决1 扩散硅传感器的硅油净化和充灌问题,满足 1传感器隔离膜片对感受到的介质压力进 行无损传递的要求,提高1扩散硅传感器的 精度,特别是扩散硅传感器的温度特性和长 期稳定性.本文介绍1该装置的I作原理, 结构和几个技术问题. 叙词:兰j堇g莲壁篓隔离膜片硅 磕油充灌和净化真空度 日前,国际上的高精度扩散硅压力传感器,变送 器的结构设计都杀用隔离膜片结构,即用隔离膜片 把传感器的敏感器件一硅芯片与外界环境隔离开. 以保护硅芯片免受外界环境中不良因素如灰尘,潮 气等不良影响.因此,为了使隔离膜片感受到的测量 压力能无损传递到硅芯片上,在隔离膜片和硅芯片 之间则必须充灌介质一硅油,使硅油净化和充灌成 为扩散硅传感器生产中的关键工序之一.但现在国 内硅油净化充着装置与工艺却仅停留在对硅油的简 易处理或利用老式的膜盒{}吐造工艺来替代,使硅油 净化和充灌质量都投有严恬控制,工作效率低.污染 严重,难以保证扩散硅传感器的高精度和长期稳定 从表中可以看出,在锑化氢4.3X10～10.8 ×10体积比浓度的情况下,该元件工作128h,输 出最大变化为3.1mV,用含氢量表示:0..9.由此 看出,该元件在锑化氢存在的情况下,一般是能够满 足铡氢指标要求的. 六,抗毒机理 元件的工作温摩是比较高的,一般在3D0-c以 上.锑化氢气体在靠近元件的地方则会迅速分解.由 于构成元件物质的疏离作用,分解后的锑化氢远离 元件落到支撑元件的柱子(即元件的引线)上.如图4 厦4豆擞往下的毒帕和元件 a.71.4×的毒袖b.35.?×毒袖和元件c.不同庸皮下的毒袖扣元件 所示的照片.在柱子上(即元件的引线j,离元件最在此对庄良点,蕺龙使?毕家傻和新像氏等同毒的太 近的地方为圆心,毒物组成一十空心圆圈.见照片力支持表示曩感谢:. c.从试验数据看,元件的灵敏度比较低,有待进一步(址端期.93年1O月94l 提高.廿陡端期=1994午一5) (编辑:刘秀云) 一 22仪表技术与传感器1994年 性.为了提高传感器质量,生产效率和满足传感器批 量生产的需要,我f『]研究畦计了专用的硅油充灌装 置和生产工艺. 一 ,原理与结构 扩散硅传感器的硅油充灌主要分为净化和充灌 两个步骤净化叉包括硅油净化和容器与工件(传感 器)净化 (1)硅油净化对硅油完成脱水,脱气和去杂 质它是将硅油均匀受热,使油温达120C,井控制 加热系统,防止硅油出现局部过热而氧化和挥发,并 达到排除硅油内富含空气,水分等其它杂质的目的 (2)容器与工件净化是对准备充灌硅油的传 感器和盛油容器进行脱水,脱气处理,满足传感器 充灌的要求,充灌是把已充分净化的硅油在真空状 态下通过电磁控耕阀门注入或引入到已净化好的传 感器受压部容室内.传感器受压部结构如同1所示. 囤1传惠嚣受压部结构 1.隔离膜片2.硅油3芯片4.基休 浚装置结构简图见图2,由真空机组,真空工作 室钟罩,盛硅油容器,加热装置,温度控制最统和电 磁阀控制系统组成. 囤2装置结构简囤 1.钟罩2.热电1蓦3.硅油4.扣热装置 ;待冲灌工件6真空札组7最气问 I.温度控制帛统I电磁同控制亲境 1.真空控制系统 我们以北京仪器厂生产的K200真空机组作为 真空机组,真空及工作室部分由钟罩机械泵,扩散 泵及各粪阀门组成为了保证净化和充灌时的真空 度,通常在初始抽真空时,先启动机械泵实行予抽, 当真空度达到1.33Pa时,再打开扩散泵,而机械泵 鲥作为前级泵对真空工作室抽真空.这样可使真 空室内最高真空度达1.33×10Pa以上.但是从生 产效率上考虑,对于不同结构形式传感器,如结构简 单排气顺畅,刚采用机械泵单独工作,对于复杂工 件充灌时以扩散泵作为主工作泵,以保证净化和充 灌的质量并提高工作效率 2.加热装置和温度控制系统 钟罩内安放280mm×150mm盛硅油容器,每 次装硅油近10L,容器内装有内热式发热元件,引线 通过绝绿端子从容器内引到容器外,加热功率为 1000W.为了控制加热温度,窖器内配置有标准型铠 装热电羁,加热电源和热电偶输出引线经引线端子 从钟罩内引出并与数字式温度控制仪,控制继电器 温度报警装置等连接,实现加热器恒温控制,保证硅 油不会过热氧化或沸腾挥发由于加热是在抽真空 同时进行,因此,我们充分利用硅油在抽真空时的排 气现象造成的琳腾来替代加热时的搅拌工作,达 到了硅油受热均匀,满足了需要. 3.电磁阁控制系统 硅油对工件充灌是由电磁阐系统控制的,该系 统与硅油加热系统和真空机组形成闭环控制当真 空室内真空度达到可充灌真空度,同时硅油加