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浅谈从版图上减小噪声对数模混合芯片的影响 科学发展 浅谈从版图上减小噪声对数模混合芯片的影响 周丽娟 (重庆电子工程职业学院重庆401331) 【搐要】本文从实际集成电路版图的角度出发,通过分析噪声的产生机制,传播方式,试图从版图角度减小噪声对芯片影响,以求使制造出来的芯 片接近于前端电路设计的性能,制造出性能优良的芯片. 【关键词】集成电路数模混合芯片版图噪声 引言 随着社会日益增长的需求,单一芯片中所集成的功能越来越强大,而 随着集成电路工艺的发展,芯片的面积越来越小,电路噪声对电路的性能 的影响也越来越大,如何减小噪声对电路的影响日益困扰着集成电路设计 者.在实际情况当中,电路前端设计出来的电路性能非常良好,但是实际制 造出来的芯片往往与电路前端设计有很大的差距,这种情况在高性能的集 成电路中更加突出.其中很大的原因是由于集成电路版图设计的不合理以 及噪声的隔离做的不好造成的. 集成电路的信号会受到两种不同类型的噪声影响,从而使原本纯净的 信号变得不纯净,这两种噪声分别是:环境噪声和器件电子噪声.环境噪声 是指电路受到的电源或地线或者芯片衬底的随机干扰:器件电子噪声是指 组成电路本身的器件自己所伴随的电子干扰. 一 ,器件噪声以及减小方法 在导体中,虽然导体两端不加任何电压,在导体的两端的电压也不是 时刻为零的,这是由于导体中电子的随机不规则运动,虽然导体平均电流 为零,但是电子的运动会引起导体两端的电压波动.电子运动的强烈程度 与绝对温度成正比,与频率无关.所以热噪声与温度成正比,属于白噪声. 在MOS晶体管的栅氧化层和硅衬底的界面处,由于这个界面处是硅单 晶的边界,因而出现了许多悬挂键,产生额外的能态.当载流予运动到这个 边界时,有一些被随机的俘获,随后又被这些能态释放,结果,在漏电流中 产生闪烁噪声.除了俘获,一些机制也被人为能产生闪烁噪声.与热噪声不 同,闪烁噪声的平均功率不容易预测.通常,低频下俘获一释放现象更常发 生,因此闪烁噪声也叫1/f噪声. 从以上的噪声产生原理中,我们可以看出,M0S器件的1/f噪声由工 艺参数和器件的面积(WL)决定,无法从版图上消除和减弱.MOs器件的热 噪声则由电路设计参数和工艺决定,同样也无法从版图上消除或减少.电 阻的热噪声主要由环境温度和电阻值决定.M0S器件的栅由多晶硅构成, 多晶硅的方块电阻较大,栅电阻与MOS器件的w成正比,因此,减小的每一 个器件的w值,可以有效的减小器件栅电阻的热噪声.对于起放大作用的 M0S器件,栅电阻上的热噪声会随着栅端的输入信号转换成输出信号,会 乘上器件的放大倍数,即噪声被放大了.当噪声被多级放大后将会产生,产 生的影响将会比较大. 二,环境噪声以及减小方法 环境噪声遍布于整个芯片的每一个角落.电路的每一个器件和功能模 块都是一个噪声源,虽然对于器件和模块本身,其自身的产生噪声对器件 图一 和模块本身不会有很大影响,但是,一个器件产生的噪声对其他器件,一个 模块产生的噪声对其他的模块会造成巨大影响,严重的时候会影响其他模 块的正常工作和功能. 如图一所示,在一个模数转换芯片中,常常会出现一个稳压电路,给模 数转换模块提供稳定的电源,使其更好的工作.从电路前端设计中,LDO对 h1)C的影响只在于LDO的输出电压噪声,前端电路设计将会将LID的输出 噪声降到最低. 1,加电子空穴收集环 在实际芯片当中,这两个模块同时存在于同一个掺杂硅衬底上,硅衬 底具有导电能力,同时也为噪声的传播提供了介质.LID的输出器件通常 比较大,其工作时,除了会产生1/f噪声之外,还会向衬底注入大量的电子 和空穴,这些电子和空穴的移动,会形成很大噪声电流,会对ADc模块造成 很大的影响.这在电路设计上无法避免,因而只能在版图设计上进行消除. 我们可以在LID模块的周围加一圈p-SUB环和Nwelltab环,利用P—SOB 对空穴进行收集,利用Nwel1tab对电子进行收集,将噪声电子和空穴在到 达hDC模块之前收集掉,减少噪声对ADC模块的影响.对于电位的接法, P—SUB可以接到LDO的最低电位上,即地线上.Nwel1tab可以接到LID的 最高电位上,即电源上. 2,加隔离环 在方法一中,LID模块形成了p-sub环在内,Nwell环在外的情形.可 是仅仅只是将LID大部分的噪声隔离了,还有部分噪声会传到ADc模块 中.芯片还会有其他电路模块,同样也会产生噪声,同样也会使噪声传到 ADC模块当中.因此,ADC模块有必要做隔离.可以在ADC模块内加P_tab 环进行隔离外部噪声,再在P—tab环外部加一圈N—tab环.P—tab可以接 到AOC内部的地电位.N—tab可以收集额外的噪声电子,因此电位应接到 离芯片PAD电源最近的地方,这样可以给噪声电流有一条低阻