固体物理学第十章固体光吸收和光发射.pptVIP

当 时，粒子数反转在1和2之间；当 时，粒子数反转在0和1之间。 （7）半导体激光器 对于半导体的高掺杂p-n结，同样可以设法使受激 发射大于受激吸收，从而得到光受激发射的放大， 产生激光。高掺杂p-n结本征势垒很高，使得n型 半导体导带低比p型半导体价带顶还要低，如图示。 加上正向偏置电压V，V～ 时，能够注入足够大 的电流，即向p-n结区注入大量电子和空穴，就能够 在结区形成粒子数（电子数）反转分布（(EF)-上的 粒子数大于(EF)+ 上的粒子数），出现“激活区”。 偶然自发发射一个光子，光子不断地感应出更 多的完全相同的光子，结果就获得放大，发出激光。 半导体p-n结受激发射（能带）原理图（a）零偏置 （b） 加上正向偏置电压V 2011.01.05 讲课人：张燕 第十章 固体的光吸收和光发射 10.9 固体发光的衰减机构和陷阱效应 10.10 电致发光 半导体发光二极管 10.11 受激发射 10.9 固体发光的衰减机构和陷阱效应 发光物质在受激和发射这两个过程之间存在一系列 的中间过程，这些过程在很大程度上决定于发光物质 的内在结构，并集中地表现在发光的衰减特性上 研究发光衰减过程的规律，对掌握发光体的发光机 构有重要理论意义；衰减