电子束与物质作用产生信号.pptVIP

* B. 线分析 用于测定某种元素沿给定直线分布的情况。方法是将X射线谱仪（波谱仪或能谱仪）固定在所要测量的某元素特征X射线信号（波长或能量）的位置上，把电子束沿着指定的方向做直线轨迹扫描，便可得到该元素沿直线特征X射线强度的变化，从而反映了该元素沿直线的浓度分布情况。改变谱仪的位置，便可得到另一元素的X射线强度分布。 Al-Zn-Mg-Cu铸态组织电子探针线扫面分析：主要合金元素Mg、Cu、Zn沿枝晶间呈周期性分布 * C. 面分析 下图为34CrNi3Mo钢中MnS夹杂物的能谱面分析图像。 S的面分析像 Mn的面分析像 * 铸态Al-Zn-Mg-Cu合金SEM组织及面扫描像 * BEI Si的Kα像 通过逐点测定1.740keV的X射线信号，就可以得到在该区域内Si元素的分布图像。 一般对X射线成分像，可按亮度的大小设置一定的区间，并赋予各区间一定的颜色，因此是一幅假的彩色图像。 * BEI C的Kα像 Si的Kα像 Ca的Kα像 * X射线成分像的特征 分辨率较低，图像显得模糊，原因是X射线信号的作用范围大。 图像可反映一个面上的分布(面扫描像)或沿某个直线或折线方向的分布(线扫描像)。 样品的要求：一般样品要经过抛光打磨，使表面平整，这样反映的成分信息更充分。 X射线成分像一般与背散射电子像联合使用。 * 背散射象、X射线成分像的异同 相同点：都是成分信息的反映 不同点: a.背散射像是探测的样品背散射电子的数量多少，而X射线分析是样品中某一种元素产生的特征X射线信号的强弱； b. 背散射图片上只知道原子序数的相对高低，而不知道元素的种类，而X射线成分像是所给定元素在区域内的分布情况。 * e §2.6 俄歇电子 * 当入射电子束照射样品时，俄歇电子与特征X射线同时产生。可是X射线的发射几率随原子序数减小而减小。相反，俄歇电子发射几率却显著增大，而且原子序数较小的元素的俄歇电子谱简单易识。 因此，俄歇电子能谱适合于表面层轻元素和超轻元素的分析。 每种元素都具有各自特征的俄歇电子能量。 * 俄歇电子能谱仪 俄歇电子1925年被发现，直到1967年，高真空（大于10-9帕)技术的获得和高灵敏度电子分析仪器的制成，才使俄歇电子作为表面分析的一种重要信息进入了实用阶段。 俄歇电子能谱仪必须保持高真空（大于10-9帕)，因为俄歇电子能量低，平均自由程非常短（一般为5?－20?),尽管入射电子束能激发出大量俄歇电子，而实际上只有极表面3-5?范围的俄歇电子才能从样品表面发射出来，工作真空过低，往往使分析结果失真。 * * 信号 产生深度 分辨率 Auger： 0.5－2nm 2nm Se： 5－10nm 10nm Be： 100nm-1μm 50-200nm X ray 1－数μm 空间上的分布宽度影响分辨率 主要信号产生的深度及空间分辨率的关系 * 作 业 电子束入射固体样品主要会激发哪些信号，它们的特点和主要用途？ * * * 2.2.1 背散射电子的特点 从数量上看，弹性背散射电子远比非弹性背散射电子所占的份额多。 产生范围:100nm-1μm深度。 能量：能量损失较小，其能量大多与入射电子能量相当，在几十—几千eV。 * 二次电子与背散射电子能量比较 * 背散射电子产额 Z40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。 背散射电子的产额随原子序数的增加而增加。 背散射电子产额与原子序数的关系 * 背散射电子及二次电子的产额随原子序数的增加而增加，但二次电子增加的不明显。 二次电子信号在原序数Z20后，其信号强度随Z变化很小。 背散射电子与二次电子产额随原子序数变化的比较。 背散射电子的发射主要取决于样品中元素的原子序数及样品表面入射角的大小。 * 背射电子的产额随样品的原子序数增大而增加，所以背散射电子信号的强度与样品的化学组成有关，即与组成样品的各元素平均原子序数有关。 背散射电子的信号强度I与原子序数Z的关系为: 式中Z为原子序数，C为百分含量(Wt%)。 * SiO2和SnO2，前者的平均原子序数为15.3，后者的为27.3，因此后者的背散射强度明显大于前者。 Example 因此不同的物质相也具有不同的背散射能力，用背散射电子的测量亦可以大致的确定材料中物质相态的差别。 背散射电子像亦称为成分像。 2.2.2 背散射电子成像原理(原子序数衬度原理） 样品表面上平均原子序数大的部位产生较强的背散射电子信号，形成较亮的区域；而平均原子序数较低的部