电子束蒸发制备ZnO_Al透明导电膜及其性能研究.docVIP

　第35卷第6期　　　　　　　　　人　工　晶　体　学　报　　　　　　　　Vol .35　No .6　2006年12月　　　　　　　　　JOURNAL OF SY NTHETI C CRYST ALS 　　　　　　　　Dece mber,2006　 电子束蒸发制备ZnO ∶A l 透明导电膜 及其性能研究 王子健,王海燕,郜小勇,吴　芳,李红菊,杨　根,刘绪伟,卢景霄 (郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州450052 摘要:在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了Zn O:A l 透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制 备的样品电阻率可达6×1023 Ω?c m 。 关键词:电子束蒸发;Zn O ∶A l 薄膜;衬底温度中图分类号:O484 　 　 文献标识码:A 　 　 文章编号 (20060621355204 Research i n Electr i ca l and O pti ca l Properti es of ZnO :A l F il m s Prepared by Electron Beam Evapora ti on WAN G Z i 2jian,WAN G Hai 2yan,G AO X iao 2yong,WU Fang, L I Hong 2ju,YAN G Gen,L I U X u 2w ei,LU J ing 2xiao (Key Laborat ory of Material Physics of M inistry of Educati on,I nstitute of Physics and Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China (Received 28February 2006,accepted 19July 2006 Abstract:I n this paper Zn O:A l fil m s were p repared on glass by electr on bea m evaporati on .And the sa mp les were annealed at 400℃.The p r operties of the fil m s were investigated by X 2ray diffracti on s pectr o meter and scanning electr on m icr oscopy.The results show that the fil m s have high trans m ittance in the visible area.The resistivity of the fil m s p repared at 200℃is 6×1023 Ω?c m. Key words:electr on bea m evaporati on;ZnO:A l fil m s;substrate te mperature 　　收稿日期:2006202228;修订日期:2006207219　　作者简介:王子健(19822,男,河南省人,硕士。　　通讯作者:卢景霄,教授。E 2mail:jxlu@zzu .edu .cn 1　引　　言 氧化锌是一种新型的宽禁带半导体材料,具有和Ga N 相同的六方晶格结构,有相近的晶格常数和禁带宽度[1] 。它在紫外激光器、平面显示器、半导体器件、太阳电池、压电材料、航天等领域有广阔的应用前景,是目前半导体材料的研究热点之一。 掺铝氧化锌薄膜又称氧化锌铝(AZ O 是一种重掺杂、高兼并的n 型半导体材料[2] 。它具有较低的电阻率,在可见光范围具有较高的透射率。与I T O 和SnO 2等常用的透明导电膜材料相比,具有无毒无污染、抗氢还原等特点。因此,被视为薄膜太阳电池前电极的理想材料。 目前,制备Zn O:A l 的方法主要有磁控溅射、喷雾热解法、溶胶凝胶法、反应蒸发法、化学气相沉积法和 1356　人工晶体学报　　　　　　第35卷 电子束蒸发法等。其中电子束蒸发法具有对衬底无损伤,易于制备大面积薄膜等特点,对于已制成P 2I 2N 结构的太阳电池背电极的制备具有重要的意义。因此,作为本实验室硅薄膜太阳电池工作的一部分,本文进行了电子束蒸发法在玻璃衬底上制备Zn O:A l 透明导电膜的尝试。 2　实　　验 电子束蒸发设备是利用碘钨灯丝在高压下产生的电子流在加速电场和偏转磁场的作用下,打在