制造工艺生产工艺及其流程.docxVIP

制造工艺 制造工艺指制造?CPU?或?GPU?的制程，或指晶体管门电路的尺寸 ，目前单位为纳米（nm)。目前主流的?CPU?制程已经达到了?45 纳米，更高的甚至已经有了?32?纳米。 CPU?制造工艺 CPU“制作工艺”指得是在生产?CPU?过程中，要加工各种电路和 电子元件，制造导线连接各个元器件等。现在其生产的精度以 纳米（以前用微米）来表示，精度越高，生产工艺越先进。在 同样的材料中可以制造更多的电子元 件，连接线也越细，有利于提高?CPU?的集成度。制造工艺的纳 米数是指?IC?内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密 集度愈高的方向发展，密度愈高的?IC?电路设计，意味着在同样 大小面积的?IC?中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。 微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进。芯 片制造工艺在?1995?年以后，从?0.5?微米、0.35?微米、0.25?微米、 0.18?微米、0.15?微米、0.13?微米、90?纳米、80?纳米、65?纳米， 45?纳米,32?纳米,一直发展到目前最新的?22?纳米，而?15?纳米将 是下一代?CPU?的发展目标。 GPU?制造工艺 显卡的制造工艺实际上就是指显示核心的制程，它指的是晶体 管门电路的尺寸，现阶段主要以纳米（nm）为单位。显示芯片 的制造工艺与?CPU?一样，也是用微米来衡量其加工精度的。制 造工艺的提高，意味着显示芯片的体积将更小、集成度更高， 可以容纳更多的晶体管。 和中央处理器一样，显示卡的核心芯片，也是在硅晶片上制成 的。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进， 显示芯片制造工艺在?1995?年以后，从?0.5?微米、0.35?微米、 0.25?微米、0.18?微米、0.15?微米、0.13?微米、0.11?微米、90?纳 米、80?纳米、65?纳米、55?纳米、40?纳米一直发展到?28?纳米制 程。 硅提纯 生产?CPU?与?GPU?等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是 硅?Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于 元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有 半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜 于制造现代大规模集成电路的材料之一。 在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石 英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶 种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径 大都是?200?毫米，而?CPU?或?GPU?厂商正在增加?300?毫米晶圆的 生产。 切割晶圆 硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切 割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于?CPU?与?GPU?的制造。 所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先 确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域 都将成为一个处理器的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄， 相同量的硅材料能够制造的处理器成品就越多。 影印 （Photolithography） 在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist) 物质，紫外线通过印制着处理器复杂电路结构图样的模板照射 硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不 需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些 区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用 10GB?数据来描述。 蚀刻 (Etching) 这是?CPU?与?GPU?生产过程中重要操作，也是处理器工业中的重 头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波 长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石 英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并 移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜， 以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。 然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂， 从而改变这些区域的导电状态，以制造出?N?井或?P?井，结合上 面制造的基片，处理器的门电路就完成了。 重复分层 为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶 硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅 氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个?3D?的结构，这才是最 终的?CPU?与?GPU?的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。 封装 这时的?CPU?或?GPU?是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用， 必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容 易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的处 理器封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定 性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。 多次测试 测试是一个处理器制造的重要环节，也是一