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轻松实现超快速样品制备和高分辨表征
当今半导体器件的物理故障分析已经成为一项极其复杂的任务,需要处理越来越小的
具有更高密度和更高功能的器件。一般来说,随着新纳米技术和纳米材料的发展以及
集成电路的设计和体系结构的日益复杂,这就需要高度可靠的分析平台,以跟上集成
电路、光电器件的发展。TESCAN S9000X是一个强大的采用氙等离子的FIB-SEM平台,
专门设计来应对这样的挑战。
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规格外观如有变更,恕不另行通知 Http://
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TESCAN S9000X是一款氙 (Xe)等离子超高分辨双束FIB-SEM系统,配置新颖的TriglavTM 超高分
辨率电子镜筒以及最新款的iFIB+TM离子镜筒,它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率,
足以应对半导体和材料表征中最具挑战性的物理失效分析工作,实现大体积三维样品特性分析。
TESCANS9000X 是半导体和材料表征中最具挑战性的物理失效分析应用的平台,具有极高的精度和极
高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度,为大体积 3D 样品特
性分析保证最佳条件。同时,它还提供非凡的 FIB 功能,可实现精确、无损的超大面积加工,包括
封装技术和光电器件的横截面加工。
S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势:
• 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作,包括碰撞模型和可
定制的面向应用流程的布局;
• 新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有极佳的分辨率,优化的镜筒内探测器系统在低束流能
量下具有卓越的性能;
• 轴向探测器通过能量过滤器,可以接收不同能量的电子信号,增强表面敏感性;
• 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野,可实现极大面积的截面加工;
• 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB,实现超快三维微分析;
• 专利的气体增强腐蚀和加工工艺,尤为适合封装和 IC 去层应用;
• 高精度压电驱动光阑,可实现 FIB 预设值之间的快速切换;
• 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑,可延长使用寿命,并最大限度地减少维护成本;
• 半自动离子束斑优化向导,可轻松选择 FIB 铣削条件;
• 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺,可实现最大的吞吐量和易用性。
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突出特点
•极高的吞吐量,适用于挑战性的大体积铣削
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