集成电路系列之制造工艺.pptVIP

* 接触式曝光方式的掩膜磨损问题 掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。 * 非接触式光刻 接近式 接近式光刻系统中，掩膜和晶圆之间有20?50?m的间隙。这样，磨损问题可以解决。但分辨率下降，当????时，无法工作。这是因为，根据惠更斯原理，如图所示，小孔成像，出现绕射，图形发生畸变。 图 3.10 * 缩小投影曝光系统 工作原理: 水银灯光源通过聚光镜投射在掩膜上。 掩膜比晶圆小，但比芯片大得多。在这个掩膜中，含有一个芯片或几个芯片的图案，称之为母版，即 reticle。 光束通过掩膜后，进入一个缩小的透镜组，把 reticle 上的图案，缩小5~10倍，在晶圆上成像。 * 缩小投影曝光系统(示意图) 图 3.11 * 缩小投影曝光系统的特点 由于一次曝光只有一个Reticle上的内容，也就是只有一个或几个芯片，生产量不高。 由于一次曝光只有一个或几个芯片，要使全部晶圆面积曝光，就得步进。 步进包括XY工作台的分别以芯片长度和宽度为步长的移动和Reticle内容的重复曝光。 投影方式分辨率高，且基片与掩膜间距较大, 不存在掩膜磨损问题。 * 3.4 刻蚀(Eching) 刻蚀的作用: 制作不同的器件结构，如线条、接触孔、台式晶体管、凸纹、栅等。 被刻蚀的材料: 半导体，绝缘体，金属等。 刻蚀的两种方法： 湿法和干法 * 湿法刻蚀 首先要用适当(包含有可以分解表面薄层的反应物)的溶液浸润刻蚀面，然后清除被分解的材料.。如SiO2在室温下可被HF酸刻蚀。许多基本结构，如。 湿法刻蚀在VLSI制造中的问题: 接触孔的面积变得越来越小, 抗蚀材料层中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效的浸润。 是被分解的材料不能被有效的从反应区的小窗口内清除出来。 * 干法刻蚀—等离子体刻蚀,反应离子刻蚀RIE RIE发生在反应炉中，基片(晶圆)被放在一个已被用氮气清洗过的托盘上，然后，托盘被送进刻蚀室中，在那里托盘被接在下方的电极上。刻蚀气体通过左方的喷口进入刻蚀室。RIE的基板是带负电的。正离子受带负电的基板吸引，最终以近乎垂直的方向射入晶体，从而使刻蚀具有良好的方向性。 图 3.12 * 3.5 掺杂 3.5.1 掺杂目的、原理和过程 掺杂的目的是以形成特定导电能力的材料区域,包括N型或P型半导体层和绝缘层。是制作各种半导体器件和IC的基本工艺。 经过掺杂，原材料的部分原子被杂质原子代替。材料的导电类型决定于杂质的化合价 掺杂可与外延生长同时进行，也可在其后，例如，双极性硅IC的掺杂过程主要在外延之后，而大多数GaAs及InP器件和IC的掺杂与外延同时进行。 * 3.5.2 热扩散掺杂 热扩散是最早也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。施主杂质用P，As，Sb，受主杂质可用B。要减少少数载流子的寿命，也可掺杂少量的Au。Si02隔离层常被用作热扩散掺杂的掩膜。扩散过程中，温度与时间是两个关键参数。在生产双极型硅IC时，至少要2次掺杂，一次是形成基区，另一次形成发射区。在基片垂直方向上的掺杂浓度变化对于器件性能有重要意义。 * 3.5.3 离子注入法 离子注入技术是20世纪50年代开始研究，70年代进入工业应用阶段的。随着VLSI超精细加工技术的进展，现已成为各种半导体搀杂和注入隔离的主流技术。 * 离子注入机包含离子源，分离单元，加速器，偏向系统，注入室等。 离子注入机 图 3.14 * 离子注入机工作原理 首先把待搀杂物质如B，P，As等离子化， 利用质量分离器(Mass Seperator)取出需要的杂质离子。分离器中有磁体和屏蔽层。由于质量，电量的不同，不需要的离子会被磁场分离，并且被屏蔽层吸收。 通过加速管，离子被加速到一个特定的能级，如10?500keＶ。 通过四重透镜，聚成离子束，在扫描系统的控制下，离子束轰击在注入室中的晶圆上。 在晶圆上没有被遮盖的区域里，离子直接射入衬底材料的晶体中，注入的深度取决于离子的能量。 最后一次偏转(deflect)的作用是把中性分离出去 faraday cup的作用是用来吸收杂散的电子和离子． * 注入法的优缺点 优点： 掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制，杂质分布的均匀。 可进行小剂量的掺杂。 可进行极小深度的掺杂。 较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜。 可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。在这种工艺中，器件表面的导电层被注入的离子（如Ｏ+）破坏，形成了绝缘区。 缺点： 费用高昂 在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复 * 3.6 绝缘层形成 在整个电子工程中，导体与绝缘体是互补而又相对的。在器件与IC工艺里也如此。在制作器件时，必须同时制作器