第二章 雷射二极体技术发展与应用动态.docVIP

第二章　雷射二極體技術發展與應用動態　2- PAGE 12 第二章　雷射二極體技術發展與應用動態 文/顏勝宏1、洪暄惠2、蔡妙嬋2、郭艷光3 1國立彰化師範大學物理研究所博士生 2國立彰化師範大學光電科技研究所碩士生 3國立彰化師範大學物理系暨光電科技研究所教授兼進修學院院長 　　三五族半導體材料已被廣泛應用在人類生活中，例如：發光二極體（Light-Emitting Diode；LED）及半導體雷射（Laser Diode；LD），其應用範圍包括照明、指示器光源、光資訊儲存系統、雷射印表機、光纖通訊及醫療等。雷射二極體具有體積小、消耗功率低、高方向性、相干性高、高光強度等優點，自從1960年代發明至今，已發展成為光資訊儲存系統與光通訊不可或缺的重要光電元件。 半導體雷射技術發展 　　雷射二極體主要分為側射型雷射（Edge-Emitting Laser；EEL）與面射型雷射（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser；VCSEL）兩大系統。側射型雷射由於光學增益區域較大，具有較大的發光功率，因此主要應用在光學儲存系統，其主要發光波段在於紫光到紅光範圍（400 nm～700 nm）；面射型雷射由於出光面積較大，雷射光點發散角小，因此適合應用於光纖通訊系統，其主要發光波段在於近紅外光範圍（1.3 μm～1.55 μm）。 　　短波長紅光材料主要以AlGaInP為主，可用於DVD光碟機或燒錄機之雷射光源。除此之外，紅光面射型雷射在PMMA聚合物光纖材料中的損失較低，同時其具有高速、圓形光束以及平面結構等優點，因此適合應用在短程光纖通訊系統；藍光雷射或是紫光雷射則以InGaN為主要發光材料。目前紫光波段的InGaN雷射二極體已成功發展出儲存密度可高達20 GB以上的儲存系統並成功量產。假以時日，更短波長的紫外光雷射光源將可使得儲存密度獲得大量提升。 　　早期1.3μm及1.55μm雷射二極體的發展主要以InGaAsP為發光材料，然而過低的導電帶與價電帶能隙差比值（0.4：0.6）導致在高注入電流時會產生過大的熱效應，進而影響元件的效能。目前長波長的新穎材料以InGaAsN與InGaAsNSb為主，這一新穎材料的優點是成長雷射結構時，具有較大的導電帶與價電帶能隙差比值（0.79：0.21），因此高溫操作時可以有效侷限電子於活性層中以減少電子溢流，並有效降低熱效應的影響。此外，在InGaAsN材料中加入Sb，除了可以使波長成功延伸至1.55 μm之外，更可以使得磊晶層的品質獲得提升。 藍紫光InGaN雷射二極體技術發展 　　以InGaN材料系統為主的雷射二極體由於沒有晶格匹配的基板以及沿著C-plane成長，會使得元件內部存在極大的壓電效應，同時會造成電子溢流現象而降低元件效能。因此，如何克服這些問題一直以來都是許多研究單位以及公司所努力的目標，以下我們針對此一目的介紹幾個比較新穎的方法及內容。 （1）Nonpolar M-plane InGaN LD（非極化M方向成長InGaN雷射二極體） 　　美國加州大學Santa Barbara分校（UCSB）近日宣佈，由Shuji Nakamura領導的研究團隊，開發出具有低臨界電流（low threshold-current）、非極性（nonpolar）的紫光雷射二極體，新型元件結構將可有效改善傳統InGaN雷射二極體沿著C-plane成長所存在的缺點，特別是高缺陷密度與極化效應的影響。此一紫光雷射二極體的臨界電流密度只有7.5 kA／cm2，具有清晰的遠場圖樣，脈衝執行狀態下雷射波長為405 nm。非極性紫光雷射二極體可以用於高解析度顯示器和視訊的高密度光學資料儲存、光學感測和醫學應用，UCSB表示這種二極體可以代替用於下一代DVD格式的C-plane紫光雷射二極體。圖2-1-1即UCSB所發表之世界上第一個非極性紫光雷射二極體的遠場圖，由圖中白色亮點可以很清楚看出雷射的發光模式。 圖2-1-1　UCSB全球首個非極性紫光雷射二極體的遠場圖 資料來源：ia.ucsb.edu 　　此一非極化成長的概念於2000年已被提出並發表於Nature期刊，主要目的是為了製作沒有內建電場的白光發光二極體，同時可以提升元件的量子效率，其主要概念如圖2-1-2所示。圖為具有內建電場與沒有內建電場之GaN（5 nm）／Al0.1Ga0.9N（10 nm）量子井結構導電帶示意圖。由於氮化物元件內部存在極大的內建電場，會導致電子與電洞在活性區中分開侷限而降低內部量子效率，使用非極性方向成長的方式則可以有效降低內建電場的影響並提升內部量子效率。 圖2-1-2　（a）具有內建電場與（b）沒有內建電場之GaN（5 nm）/Al0.1Ga0.9N（10 nm）量子井結構導電帶示意圖 資料