哈工大微电子工艺第七章外延.pptVIP

7.5 分子束外延 (Molecular beam epitaxy MBE) 在超高真空下，热分子束由喷射炉喷出，射到洁净的单晶衬底表面，生长出外延层。 MBE是物理气相外延工艺。 7.5.1 MBE系统 （喷射炉） （衬底基座） （空气锁） 超高真空系统；生长系统；原位监测系统 MBE设备照片 7.5.2 MBE原位监测系统 四极质谱仪，用以监测分子束的流量和残余气体。 俄歇电子能量分析器(AES)，用来测定表面的化学成份。 离子枪，用于衬底表面外延前和外延表面实时清洁。 由电子枪和荧光屏组成的高能电子衍射仪(HEED)，其电子束以小角度（1-2°）投向衬底。电子束被所生长外延层表面原子反射后，生成二维衍射图像，包含有关表面上整体构造和原子排列的信息。 5.2.3 MBE特点 超高真空度达10-9~10-11Torr ，外延过程污染少，外延层洁净。 温度低，(100)Si 最低外延温度470K，所以无杂质的再分布现象。 外延分子由喷射炉喷出，速率可调，易于控制，可瞬间开/停，能生长极薄外延层，厚度可薄至?量级。 MBE特点（续） 设备上有多个喷射口，可生长多层、杂质分布复杂的外延层，最多层数可达104层。 在整个外延过程中全程监控，外延层质量高。 MBE多用于外延结构复杂、外延层薄的异质外延。 设备复杂、价格昂贵 7.6 其它外延 7.6.1 异质外延 相容性问题；反相畴问题 7.6.2 液相外延 7.6.3 固相外延 7.6.1 异质外延 异质外延也叫非均匀外延，外延层与衬底材料不相同的外延。 例如， GaAs/Si 、SOI（SOS）等材料就可通过异质外延工艺获得。 1 异质外延的相容性 衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象； 衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。 衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。 2 失配率 其中：a外延层参数； a′衬底参数。有热膨胀失配系数和晶格常数失配率。 3 反相畴 又叫反相混乱（APDI），非极性的Si上生长极性GaAs在生长的初期Si衬底上有的区域附着Ga，有的区域附着As，不能形成单相的GaAs层，这就叫反相畴。 4 GaAs/Si外延 当前较成熟的方法是直接生长法，两步MBE外延工艺过程： As气氛中，约900℃热处理； 一步生长，150-400℃是生长厚约20nm的非晶GaAs缓冲层； 二步生长是单晶生长，450-600℃在此期间一步生长的非晶也转化为单晶了 T/℃ t/min 一步 二步 预处理 GaAs/Si外延工艺 SOI (Si on Insulator)技术 SOI是指在绝缘层上异质外延硅得到的材料。 SOI电路是介质隔离，寄生电容小，使得速度快、抗幅射能力强、抑制了CMOS电路的闩锁。目前一些高速、高集成度薄膜集成电路就采用的SOI材料。 SOS (Si on Sapphre或Spinel) 是SOI中的一种，衬底是蓝宝石(α-Al2O3) ，或尖晶石(MgO.Al2O3) SOS工艺：SiH4或SiH2Cl2，约1000℃VPE。 液相外延是利用溶液的饱和溶解度随温度的变化而变化，使溶液结晶析出在衬底上进行外延的方法。 硅的液相外延是将硅溶入锡中，在949℃时溶液饱和，当降低温度10-30℃时溶液过饱和，硅析出，在单晶硅衬底上生长出外延层。 7.6.2 液相外延 7.6.3 固相外延 固相外延是将晶体衬底上的非晶或者多晶层高温转化为单晶层。离子注入时，损伤造成的非晶区和非晶层经退火晶化过程就是固相外延。 7.7 外延层缺陷及检测 外延层质量直接关系到做在它上面的各种器件的性能，所以应检测、分析外延层缺陷及产生原因，并对外延层特征量进行测试： 外延层缺陷分析 图形漂移和畸变 层错法测外延层厚度 检测内容 电阻率测量 7.7.1 外延层缺陷分析 外延层中的缺陷有表面缺陷和内部晶格结构缺陷（体内缺陷）。通常体内缺陷会显现在表面。 表面缺陷：云雾状表面、角锥体、表面突起、划痕、星状体、麻坑等。 体内缺陷：位错、层错等。 雾状表面缺陷 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾 角锥体 星形线（滑移线） 划痕：由机械损伤引起 外延层 （111）衬底 1 5 4 3 2 外延层各种缺陷 位错 层错 表面突起、角锥体等 外延层内杂质沉淀 衬底点缺陷团的延伸 层错法测量外延层厚度 7.