哈工大微电子工艺物理气相淀积.pptVIP

第5章 PVD * 反常辉光放电区 暗区，相当于离子和电子从电场获取能量的加速区； 辉光区，相当于不同离子发生碰撞、复合、电离的区域。 负辉区，是最亮区域。 第5章 PVD * 5.4.2 等离子体 等离子体（Plasma）是指具有一定导电能力的气体，它由正离子、电子、光子以及原子、原子团、分子及它们的激发态所组成的混合气体，宏观上呈现电中性。 辉光放电构成的等离子体中粒子能量、密度较低，放电电压较高。其特点是质量较大的重粒子，包括离子、中性原子和原子团的能量远远低于电子的能量，是一种非热平衡状态的等离子体。 第5章 PVD * 等离子鞘层 电子：等离子体中电子平均动能2eV，对应温度T=23000K;平均运动速度 v=9.5*105 m/s 离子及中性原子处于低能状态，对应温度在T=300-500K；平均速度vAr=5*102m/s 等离子鞘层：电子与离子具有不同速度，结果是形成所谓的等离子鞘层，即任何处于等离子中的物体相对于等离子体来讲都呈现出负电位，且在物体表面出现正电荷积累。 第5章 PVD * 辉光放电中的碰撞过程 弹性碰撞 无激发、电离或复合 非弹性碰撞 动能转变为内能 维持了自持放电 电离过程： e-+ Ar →Ar++2e- 激发过程： e-+O2 → O2*+e- 分解反应：e-+CF4 → CF3*+ F*+e- 等离子体中高速运动的电子与其它粒子的碰撞是维持气体放电的主要微观机制。 第5章 PVD * 5.4.3 射频辉光放电 国际上采用的射频频率多为美国联邦通讯委员会(Fcc)建议的13.56MHz。 在一定气压条件下，在阴阳电极之间加交变电压频率在射频范围时，会产生稳定的射频辉光放电。 射频放电的激发源 E型放电：高频电场直接激发 H型放电：高频磁场感应激发 射频辉光放电与直流放电很不相同： 电场周期性改变方向，带电粒子不容易到达电极和器壁，减少了带电粒子的损失。在两极之间不断振荡运动的电子可从高频电场中获得足够能量，使气体分子电离，电场较低就可维持放电。 阴极产生的二次电子发射不再是气体击穿必要条件。 射频电场可由容抗或感抗耦合进淀积室。电极可以是导体，也可是绝缘体。 第5章 PVD * 5.5 溅射 微电子工艺中的溅射，是指利用气体辉光放电时，离子对阴极轰击，使阴极物质飞溅出来淀积到基片上形成薄膜的工艺方法。 第5章 PVD * 5.5.1 工艺机理 在初、中真空度下，真空室通入少量氩或其它惰性气体，加高压或高频电场，使氩等惰性气体电离，正离子在电场作用下撞击靶，靶原子受碰撞溅射，到达衬底淀积成膜。 第5章 PVD * 入射离子溅射分析 溅射出的原子，获得很大动能，约10-50eV。和蒸镀相比（约0.2eV）溅射原子在基片表面上的迁移能力强，改善了台阶覆盖性，以及与衬底的附着力。 第5章 PVD * 5.5.2 溅射特性 溅射阈值 每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于这个值就不会发生溅射现象。溅射阈值与入射离子质量无关，而主要取决于靶特性。 溅射率S 又称溅射产额 S=溅射出的靶原子数／入射离子数。 溅射粒子的速度和能量 第5章 PVD * 溅射率的影响因素 S与入射离子能量的关系：随着入射离子能量的增加，溅射率先是增加，其后是一个平缓区，当离子能量继续增加时，溅射率反而下降，此时发生了离子注入现象。 第5章 PVD * 溅射率的影响因素 S与入射离子种类的关系：溅射率依赖于入射离子，其原子量越大，溅射率越高。溅射率也与入射离子的原子序数有密切的关系，呈现出随离子的原子序数周期性变化。惰性气体的溅射率最高。 S与靶的关系：随靶原子序数增加而增大。 第5章 PVD * 溅射率的影响因素 S与离子入射角的关系： S还与靶温、靶晶格结构，靶的表面情况、溅射压强、升华热的大小等因素有关。 第5章 PVD * 被溅射出的粒子的速度和能量 重靶逸出能量高，轻靶逸出速度高。 不同靶逸出能不同，溅射率高的靶，逸出能较低。 相同轰击能，逸出能随入射离子质量线性增加；轻入射离子溅射出的靶逸出能量较低，约10eV；重入射离子溅射出的靶逸出能量较大，约30-40eV。 靶的逸出能量，随入射离子能量而增加，当入射离子能达1keV时，平均逸出能趋于恒定值。 在倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能量。 第5章 PVD * 5.5.3 溅射方法（式） 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 反应溅射 离子束溅射 偏压溅射 第5章 PVD * 1直流溅射 最早出现，是将靶作为阴极，只能制备导电的金属薄膜，溅射速率很慢。 气压和淀积速率的关系 第5章 PVD * 2射频溅射 在射频电场作用下，气体电离为等离子体。靶相对于等离子体而言是负极，被轰击溅射；衬底放置电极与机壳相连，鞘层压降很小