第11章 常用中大规模数字集成电路.pptVIP

图11-19 可编程只读存储器的编程示意图 11.3.1 只读储存器 11.3.1 只读储存器 11.3.1.4 可擦除可编程只读存储器(EPROM) EPROM是可以擦除的可编程只读存储器，在擦除了数据之后，该存储器可以再次编程。EPROM使用浮置栅极的MOSFET作为存储单元，浮置栅极周围都是氧化物绝缘材料，因而与外界没有任何导电连接，所以，可以长时间地保存电荷。数据就是由浮置栅极中是否存有电荷来表示的，而数据的擦除就是去掉浮置栅极中的电荷。 有两种EPROM，一种是紫外线擦除的PROM，另一种是电擦除的PROM。 11.3.1 只读储存器 1. 紫外线擦除的可编程只读存储器(UVEPROM) 紫外线擦除的PROM的封装上有一个供紫外线擦除数据的透明石英玻璃窗。 在存储单元中，使用浮置雪崩注入MOS管(FAMOS)。编程过程就是利用雪崩击穿，使电子进入绝缘栅极，使绝缘栅极带负电，形成导电沟道；擦除过程是用紫外线照射存储单元，使电子具有能量，从绝缘栅极中逃出，使导电沟道消失。浮置栅极MOS管的结构、符号和使用浮置栅极MOS管的存储单元如图11-20所示。 图11-20 浮置栅极MOS管的结构、符号和存储单元图 11.3.1 只读储存器 11.3.1 只读储存器 使用时要注意，编程后的芯片在阳光的影响和室内日光灯的照射下，经过3年时间，在浮栅的电荷可泄漏完。若在太阳光直射下，约一个星期电荷可泄漏完。所以，在正常使用和储藏时，应在芯片窗口上贴上黑色的保护纸。 11.3.1 只读储存器 2. 电擦除的可编程只读存储器(EEPROM) EPROM芯片的擦除需要将芯片取下，用紫外线照射十几分钟，而且是整片擦除，相对来说改写操作速度慢、不方便。随着电子技术的发展，又出现了一种称为电可擦除可编程只读存储器，简称EEPROM或E2PROM，其存储信息的原理类似于UVEPROM，但擦除的原理不同。EEPROM是通过在存储信息的MOS管的源极和漏极之间加一个较高的电压，使浮栅上的电荷跑掉，它可以整片擦除，也可以擦除指定的单元。EEPROM具有EPROM可重编程的特点，又具有擦除速度快、可按单元擦除的优点。 E2PROM的存储单元中采用了一种叫做浮栅隧道氧化层MOS管，简称Flotox管，结构和符号如图11-21所示。 图11-21 Flotox管的结构和符号 11.3.1 只读储存器 Flotox管是N沟道增强型MOS管，有两个栅极，即控制栅极GC和浮置栅极Gf，该管的浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的(厚度小于2×l0-8m)区域，这个区域称为隧道区，当隧道区的电场强度大于107 V/cm时，就会形成导电隧道，电子可以双向通过，形成电流，这种现象称为隧道效应。 如图11-22所示是用Flotox管组成的存储单元，其中V1管是Flotox管，而V2管是普通N沟道增强MOS管，该管的作用是选通。根据浮置栅上是否充有负电荷来区分单元的1或0状态。 11.3.1 只读储存器 图11-22 Flotox管组成的存储单元 11.3.1 只读储存器 擦除时，在控制栅极和行线上加幅度为20 V，宽度为10 ms的脉冲电压，数据线接0 V，使Flotox管漏极接地，在强电场的作用下，漏区的电子通过隧道区进入浮置栅极。擦除后的存储单元存有数据1。 编程时，将写入数据0的浮置栅极中的电荷放掉，方法是在控制栅极加0V电压，然后在行线和数据线上加幅度为20 V，宽度为10 ms的脉冲电压，相当于Flotox管漏极接20 V电压，在强电场的作用下，使浮置栅极中的电荷通过隧道区放电。 读出数据时，在控制栅极加3 V电压，在行线上加5 V电压，若是浮置栅极中没有电荷，Flotox管导通，数据线上读出数据0；若是浮置栅极中有电荷，Flotox管不导通，数据线上读出数据1。 11.3.2 随机储存器 随机存储器(RAM)也叫随机读写存储器，根据需要可以随时从任何一个指定地址读出或写入数据。随机存储器分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。静态随机存储器使用触发器作为存储单元，所以在电源加上时，其状态是不确定的。动态随机存储器使用电容存储数据，由于电容上的电荷会随着时间的推移减少，所以需要不断地进行充电，这个过程称为刷新。无论静态还是动态随机存储器在断电之后，数据都会丢失，所以它们是数据易失型存储器。静态随机存储器的读写速度比动态随机存储器快，但是容量不如动态随机存储器大，这是因为动态随机存储器的存储单元非常简单。随机存储器的分类如图11-23所示。 图11-23 随机存储器的分类 11.3.2 随机储存器 11.2.1 数/模转换器(DAC) 11.2.1.2 D/A转换器的主要技术指标 1. 分辨率 分辨率是说明