电力电子应用技术第4章.ppt

　　IR2110的保护功能包括输入逻辑保护及输出电源欠电压保护。输入逻辑保护是当功率电路发生过载、短路等故障时，检测保护电路的输出信号接入IR2110保护端（SD），高电平有效，芯片内部逻辑电路将上下通道的输入控制信号进行封锁。欠电压保护采取上下通道分别检测。 　　IR2110通常用于驱动N沟道的功率MOSFET，其应用的典型连接如： 六、功率MOSFET在使用中的静电保护措施 　　静电击穿有两种形式：一是电压型；二是功率型。 防止静电击穿应注意： 　　1）器件应存放在抗静电包装袋、导电材料袋或金属容器中，不能存放在塑料袋中。 　　2）取用功率MOSFET时，工作人员必须通过腕带良好接地，且应拿在管壳部分而不是引线部分。 　　3）接入电路时，工作白应接地，焊接的烙铁也必须良好接地或断电焊接。 　　4）测试器件时，测量仪器和工作台都要良好接地。器件三个电极没有全部接入测试仪器前，不得施加电压。改换测试范围时，电压和电流要先恢复到零。 第四节　绝缘栅双极晶体管 　　绝缘栅双极晶体管简称IGBT，是20世纪80年代出现的新型复合器件。 一、IGBT工作原理 　　IGBT是在功率MOSFET的基础上增加了一个P+层发射极，形成PN结J1，并由此引出集电极C，栅极G和发射极E。 简化等效电路 　　IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。栅极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。 二、IGBT主要特性 1．静态特性 　　IGBT的静态特性包括转移特性和输出特性。 　　IGBT的转移特性是描述集电极电流IC与栅射电压UGE之间关系的曲线。 2．动态特性 　　IGBT的动态特性也称开关特性，包括开通和关断两个部分。 　　IGBT的关断过程是从正向导通状态转换到正向阻断状态的过程。 三、IGBT的锁定效应 　　IGBT内还存在一个寄生的NPN晶体管，它与作为主开关的PNP晶体管一起组成一个寄生的晶闸管。 　　由于IC过大而产生的锁定效应称为静态锁定。 四、IGBT的主要参数 1．集射极击穿电压BUCES 2．开启电压UGE（th） 3．通态压降UCE（on） 4．最大栅射极电压UGES 5．集电极连续电流IC和峰值 　 电流ICM 五、IGBT的安全工作区 　　IGBT具有较宽的安全工作区。因IGBT常用于开关工作状态，开通时IGBT处于正向偏置；而关断时IGBT处于反向偏置，故其安全工作区分为正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区。 六、IGBT的栅极驱动电路 1．IGBT对驱动电路的要求 　　1）提供适当的正反向输出电压，使IGBT能可靠地开通和关断。 　　2）IGBT的开关时间应综合考虑。 　　3）IGBT开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。 　　4）IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响。RG的选择原则是应在开关损耗不太大的情况下，选略大的RG 。RG的具体数值还与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。 　　5）驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IGBT的保护功能。 IGBT在使用中除了采取静电防护措施外，还必须注意以下事项： 1）IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配。 2）当G－E端在开路的情况下，不要给G－E端加电压。 3）在未采取适当的防静电措施情况下，G－E端不能开路。 2．驱动电路实例 　　输入控制信号通过光耦合器B引入驱动电路，然后经MOS管VM放大后由推挽式电路V1和V2向IGBT提供栅极正、反向驱动电流。 2．通态压降特性 3．开通特性 　　开通特性是元件从断态到通态过程中电流、电压及功耗随时间变化的规律。 4．关断特性 三、GTO的主要参数 1．最大可关断阳极电流IATO 　　在实际应用中，可关断阳极电流IATO受如下因素的影响：门极关断负电流波形、阳极电压上升率、工作频率及电路参数的变化等，在应用中应予特别注意。 2．关断增益βoff 3．阳极尖峰电压UP 　　为减小UP，必须尽量缩短缓冲电路的引线，减小杂散电感，并采用快恢复二极管及无感电容。 四、GTO门极驱动电路 1．理想门极信号波形 　　（1）导通触发　GTO在按一定频率的脉冲触发时，要求前沿陡、幅值高的强脉冲触发。 　　（2）关断触发 2．GTO驱动电路实例 　　功率场效应晶体管简称功率MOSFET，它是一种单极型电压控制器件。它具有自关断能力，且输入阻抗高、驱动功率小，开关速度快，工作频率可达１MHz，不存在二次击穿问题，安全工作区宽。 第三节　功率场效应晶体管 一、功率MOSFET的结构与工作原理 　　功率MOSFET有多种结构型式，根据载流子的性质可