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九、 实验报告要求 1、根据实验数据做出光敏电阻和光电二极管的特性曲线图。 2、简述光敏电阻和光电二极管的基本特性。 实验七光电二极管和光敏电阻的特性研究 廖朝阳 湖南科技学院 电子工程实验中心 目 录 1.引言 2.实验目的 3.实验原理 4.实验的仪器 5.实验的方法与步骤 6.实验的结果与分析 7.对照表 8.注意事项 大型光电二极管（藏北） 一、引言 1.光敏传感器：是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器。 光敏传感器的物理基础是光电效应，光电效应通常分为外光电效应和内光电效应 两大类。外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应。几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电二极管等。 2.光敏电阻：又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。 3.光敏电阻演示 二、实验目的 1.了解光敏电阻的电阻特性，掌握光敏电阻的伏安特性及其随光照强度的变化规律。 2.测出它的伏安特性曲线和 光照特性曲线。 三、实验原理 1.原理与结构： 原理：当光照射到光电导体上时，若光电导体为某种本征半导体材料，光辐射能量足够强，（光导材料价带的电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。）将产生内光 电效应，实现能级的跃迁，产生内 光电效应要求入射光的能量大于一 个特定的数值，即光敏电阻对光具 有选择性。 三、实验原理(续） 1.原理与结构： 光电二极管 光电二极管是利用PN结单向导电性的结型光电器件，结构与一般二极管类似。PN结安装在管的顶部，便于接受光照。外壳上有以透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上，为了获得尽可能大的光生电流，PN结的面积比一般二极管要大。为了光电转换效率高，PN结的深度比一般二极管浅。 三、实验原理(续） 1.原理与结构： 光电二极管 光电二极管可工作在两种状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。在这种情况下，当无光照时，处于反偏的二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流，即暗电流。反向电流小的原因是在PN结中，P型中的电子和N型中的空穴（少数载流子）很少。当光照射在PN结上时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子空穴对，使P区和N区的少数载流子浓度 三、实验原理(续） 1.原理与结构： 光电二极管 光电二极管是利用PN结单向导电性的结型光电器件，结构与一般二极管类似。PN结安装在管的顶部，便于接受光照。外壳上有以透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上，为了获得尽可能大的光生电流，PN结的面积比一般二极管要大。为了光电转换效率高，PN结的深度比一般二极管浅。光电二极管可工作在两种状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。在这种情况下，当无光照时，处于反偏的二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流，即暗电流。反向电流小的原因是在PN结中，P型中的电子和N型中的空穴（少数载流子）很少。当光照射在PN结上时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子空穴对，使P区和N区的少数载流子浓度 三、实验原理(续） 1.原理与结构： 光电二极管 大大增加，在外加反偏电压和内电场的作用下，P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区，N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，形成了光电流，反向电流随光照强度增加而增加。另一种工作状态是在光电二极管上不加电压，利用PN结受光照强度增加而增加。N结受光照时产生正向电压的原理，将其作为微型光电池用。这种工作状态一般用作光电检测。光电二极管常用的材料有硅、锗、锑化铟、砷化铟等，使用最广泛的是硅、锗光电二极管。光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好的温度稳定性和低工作电压的优点，因而得到了广泛的应用。 上图为光电流信号转换电路，Vo=IpR，Ip为光电流，R是反馈电阻。 结构：管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。光导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照的表面薄层，虽然产生的载流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有限，因此光电导体一般都做成薄层。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极一般采用梳状图案。 符号： 2.光敏电阻