第三章晶体三极管BJT及放大电路基础.pptVIP

3. 非线性失真1) 截止失真 Q点过低，信号进入截止区 iC uCE uo 放大电路产生 截止失真 输出波形 输入波形 ib iC uCE 2)饱和失真 Q点过高，信号进入饱和区 放大电路产生 饱和失真 ib 输入波形 uo 输出波形 波形的失真 饱和失真 截止失真 由于放大电路的工作点达到了三极管 的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管， 输出电压表现为底部失真。 由于放大电路的工作点达到了三极管 的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管， 输出电压表现为顶部失真。 动态工作情况分析小结 Q点合适，Ui幅度过大——双向失真（截止，饱和失真） iC uCE uo 可输出的最大不失真信号 选择静态工作点 ib §3.4　微变等效电路法 条件：指输入信号UI变化量小（即小信号）　　　　输入信号频率在低中频范围 原因：根据输入，输出特性曲线 在如上条件下：　　　　　　　　　　　　　　小信号：——特性曲线近似直线性——可用等效的线性电路代替T管　　　　　　　　　　低中频：晶体管中结电容的影响极小 一、BJT的微变等效电路 rbe称为BJT的输入电阻，它表示BJT的输入特性近似计算公式：rbe=△UBE/△IB=rb+(1+β)re rb----基区体电阻 , re——发射击区体电阻 rbe =200+（1+B）26(mV)/IE(mA) rce称为BJT的输出电阻，rce=uce/ic∣IB，一般rce10k可忽略 二、用H参数微变等效电路法分析共射极基本放大电路１、画出放大电路的微变等效电路　　由BJT的微变等效电路和放大电路的交流通路可得出放大电路的微变等效电路。 ２、求电压增益AV ：AV=UO/UI 　　UI=IBRBE （1）?????? 空载时：RL=∞ U0=I′ORC=-ICRC U0=-βIBRC 所以AV=UO/UI=-βIBRC/（IBRBE）=-βRC/RB （２）?????? RL≠∞ UO=Io′RL′=-ICRL′=-βIBRL′ AV=UO/UI=-βIBRL/（IBRBE）= -βRL/RBE=-βRC//RL/RBE ３、计算输入电阻和输出电阻 (1)　计算输入电阻 　　　RI=UI/IB=RB//RBE=RBE (2)　计算输出电阻 　当RL=∞时，向左看进去 　所以UI=0 IB=0则βIB=0　　RO=RC §3.5　放大电路的工作点稳定问题 一、温度对工作点的影响 1)ICBO β VBE影响：T升， β升，输出特性曲线间隔宽，Q点上移，饱和区，放大能力减弱。 2) ICBO影响：T升， ICBO升，ICEO升，输出特性曲线向上平移，Q点向饱和区移动，放大能力减弱。 硅管 ICBO很少，影响可忽略。锗管ICBO很大，造成工作点不稳的主要因素。高温下应选硅管 3) VBE影响。T升，VBE降（导通电压），输入特性曲线向左移动，IBQ升，工作点上移，ICQ不稳 归上述：T升，Q点，饱和区移动 T降，Q点，截止区移动。 二、分压式射极偏置电路： 电路应满足： IRb2IBQ　UBQUBEQ 1、稳定工作点原理： 目标：温度变化时，使IC维持恒定。 如果温度变化时，b点电位能基本不变， 则可实现静态工作点的稳定。 稳定原理： T ? ? IC? ? IE? ? VE?、VB不变 ? VBE ? ? IB? IC? （负反馈控制） 2、静态分析： I1 I2 IB RB1 +EC RC T RB2 RE 直流通路 算法： 3、动态分析： 交流通路——微变等效电路 1　Av： 　　Av= 2　ri　、ro ri=Rb1∥Rb2∥[rbe+(1+β)Re] 　ro＝Rc 故 Re↑→Av↓ 矛盾 采用改进电路在Re上并联一大电容(交流旁路) RB1 +EC RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui uo CE 交流旁路电容 RE射极直流负反馈电阻 CE的作用：交流通路中， CE将RE短路，RE对交流不起作用，放大倍数不受影响。 有旁路电容CE: Av≈ ri＝Rb1∥Rb2∥rbe ro＝RC RB1 +EC RC C1 C2 T RB2 CE RE1 RL ui uo RE2 如果电路如下图所示，如何分析？ RB1 +EC RC C1 C2 T RB2 CE RE1 RL ui uo RE2 动态分析： 交流通路 RB1 RC RL ui uo RB2 RE1 交流通路： RB1 RC RL ui uo RB2 RE1 微变等效电路： rbe RC RL RE1 RB §3.6