第一章 半导体器件基础.pptVIP

（3）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t §1.3 半导体三极管 1.3.1、 三极管的结构及类型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 集电区 基区 发射区 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 （1）半导体三极管从结构上可分为NPN型和PNP型两大类，它们均由三个掺杂区和两个背靠背的PN结构成，但两类三极管的电压极性和电流方向相反。 （2）三个电极：基极 b、集电极 c、和发射极 e。（3）内部结构特点：发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度；基区很薄，且掺杂浓度最低。（4）三个区作用：发射区发射载流子、基区传输和控制载流子、集电区收集载流子。 * 分类: 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN、 PNP 按使用频率分：低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W 1.3.2 三极管电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB β= ? IC / ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 1.3.3.晶体管的共射特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 A、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 输入特性曲线 ＩB=f(ＶBE，UCE )　　输入特性曲线是指当UCE为某一常数时，ＩB和UBE之间的关系。　　 特点：UCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着UCE增大，输入特性曲线右移；继续增大UCE，输入特性曲线右移很少。　　 在工程上，常用UCE=1时的输入特性曲线近似代替UCE1V时的输入特性曲线族。 B、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCES?0.3V (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏