纳米材料基础-第六章磁性3.pptVIP

纳米材料基础 北京航空航天大学 磁性隧道结-Magnetic Tunneling Junction 磁性隧道结-Magnetic Tunneling Junction * 于荣海 磁记录材料 电荷与自旋 电子具有电荷和自旋两种性质 传统电子器件忽略了电子自旋特性，仅利 用电子电荷输运完成器件功能 与自旋相关的物质磁性也有广泛的应用 物质磁性用于信息存储，但是传统磁存储技术中却不考虑电子输运，仅利用磁畴取向。 磁阻-Magnetoresistance (MR) 磁阻——由磁性引起的附加电阻 一百多年以前便知道外加磁场可改变电阻值的大小, 在非磁性金属中磁阻产生的原因是Lorentz力, 在磁性金属中磁阻是由于量子效应中的Spin-orbital 耦合引起的，也就是各向异性磁阻, 然而这些电阻的变化一般较小，因此其应用价值也较有限，主要是作一些简单的传感器。 磁阻-Magnetoresistance (MR) 几乎所有金属、合金和半导体中都存在磁阻，它是磁场中物质的附加磁阻（W. Thomson 于1857年发现），即 磁阻由洛仑兹力引起，与磁场（磁化）方向有关 巨磁阻-Giant Magnetoresistance (GMR) 巨磁阻发现的前期工作是1986年Grünberg对Fe/Cr/Fe三层膜的研究 他们最初的研究目的是研究超薄Cr薄膜的反常特性 却意外发现在适当的厚度下，通过Cr膜的中介，两个Fe层薄膜之间产生反铁磁交换耦合作用，相邻铁膜从铁磁相转化为反铁磁相。 适当中介层厚度，相邻铁磁层磁化方向相反，形成反铁磁序(AF)，外磁场使其磁化转向，转化为铁磁模式（FM）。 巨磁阻-Giant Magnetoresistance (GMR) 巨磁阻发现的前期工作是1986年Grünberg对Fe/Cr/Fe三层膜的研究 他们最初的研究目的是研究超薄Cr薄膜的反常特性 却意外发现在适当的厚度下，通过Cr膜的中介，两个Fe层薄膜之间产生反铁磁交换耦合作用，相邻铁膜从铁磁相转化为反铁磁相。 适当中介层厚度，相邻铁磁层磁化方向相反，形成反铁磁序(AF)，外磁场使其磁化转向，转化为铁磁模式（FM）。 这种结构由被非磁隔离层(NM-layers)分开的薄铁磁层(FM-layers)组成， 非磁隔离层的存在使得相邻铁磁层存在交换耦合作用，即它们磁化方向处于反平行状态（AF）， 这种耦合作用可以用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)模型解释， 外磁场H克服层间耦合可使所有磁层的磁化方向从反铁磁模式(AF-mode) 同时转换为平向方向，即铁磁模式(F-mode)。 1988年发现三层结构推广到多层时，在室温下其磁阻超过10 %； 为了强调磁阻显著的变化，特意在这种“磁阻”（“MR”）之前加上“巨”（“giant”），而称为“巨磁阻”（“GMR”）。 两个研究团队分別在4.2K温度和室温下，对各自研制的磁性多层薄膜系统磁电阻予以测量， Fert教授在4.2K 的低溫，在(Fe/Cr)n，n = 60系统中测量得到50% 磁阻变化， Grunberg教授則在室溫下，测量Fe/Cr/Fe三明治结构，测得大約1.5% 的磁阻变化，随后又在低溫下Fe/Cr/Fe/Cr/Fe 系統中测得约10% 的磁阻变化率。 Albert Fert Peter Grunberg 后来的研究中，巨磁阻越来越显著。 Electron spin-dependent transport; Two-channel conduction theory (Fert and Campell, J. Phys. F6, 849(1976); Conduction electron: Spin-up and spin-down. 自旋电子学-Spin Electronics 1995年后，GMR的研究发展成为一门新型的学科---自旋电子学(Spin electronics) 主要包括利用顺磁、铁磁金属和绝缘体材料的组合的磁阻效应实现器件和电路功能，例如： –自旋阀传感器 –计算机硬盘驱动器的读磁头 –非挥发磁随机存储器(MRAM), –电路隔离器（circuit isolators） 磁记录装置 自旋阀 (Spin Valves) Exchange-biased spin-valves were developed by Dieny et al., Phys. Rev. B43, R1297(1991). Spin configuration of an FM-AFM bilayes 磁性隧道结-Magnetic Tunneling Junction 磁性隧