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项目三 高效太阳电池制造工艺 项目引入：在过去10年中，光伏技术已经取得了显著的进展，世界太阳电池产量逐年增加，为了促进太阳电池的广泛应用，必须进一步的降低成本，建立批量生产技术。本项目通过研究高效硅太阳电池、砷化镓和高效空间电池和高效聚光硅太阳电池分类，性能和制造原理，使学生更好的掌握这三类高效太阳电池的制造工艺以及提高太阳电池效率的方法。 知识目标 1、掌握丝网印刷电池的结构、性能及其局限，了解高效硅太阳电池的分类、性能及其发展前景； 2、掌握Ⅲ-Ⅴ族单结空间太阳电池的分类及其制造原理； 3、掌握高效聚光硅太阳电池的分类及提高聚光硅太阳电池效率的方法； 技能目标 通过学习三类高效太阳电池的分类，性能 及制造原理，掌握其制造工艺，独立完成 实践任务，掌握基本的制造基本要领。 任务一 高效硅太阳电池 任务分析：随着光伏市场的快速增长，资金投入 也日趋加大，光伏工业的前途变得明朗，众所周 知，原料硅片的成本约占组件总成本的50%，封 装材料占另外一大部分，硅片加工成电池的成本 不到总成本的20%。本任务旨在探讨比丝印硅太 阳电池效率更高的方法。 任务目的：根据项目的要求学会掌握高效 硅太阳电池的性能，制造原理及制造工艺。 知识运用 1 高效实验室电池 实验室电池设计进化经历了几个阶段，想20世纪50年代迅速发展后，在往后的十几年里发展缓慢，直到20世纪60年代末，背铝处理的优点日益明显。 1-1 硅空间电池的发展 实验室硅太阳电池效率的进展可以看下图，从上图可以看出，在经历20世纪50年代的迅速发展后，常规空间电池在随后的十几年里发展缓慢。在空间辐射条件下能量转换效率为10%-11%，在地面测试下高10%-20%。 20世纪60年代末，背铝处理的优点日益明显，特别是对于比正常厚度稍薄的电池，把空间电池效率相应地提高到12.4%归功于铝处理的吸杂作用。进一步的研究表明，正是在背接触下存在的重掺杂区导致这些有益的效果。这些益处被假定是多子从电池的背掺杂处溢出到体区引起的，从而增加有效的体浓度和增大开路电压，这种效果普遍地被称为背面场（BSF）效应。 1-2 高效地面电池 第一个达到18%效率的硅电池是MINP电池，用这个接触下的薄氧化层而使顶接触钝化，并用稍厚的氧化层钝化上表面。为了使反射损失最小，使用了由薄氧化层上近1/4波长的ZnS和1/4波长的MgF2组成的双层减反射涂层。 下图所示的是钝化反射区太阳电池（PESC）结构，这种结构进一步提高了电池效率，除直接通过薄氧化层中的窄缝用于电接触外，它类似于MINP电池的结构，这种情况下，通过使接触面积最小化取得接触钝化，也使用了表面积构化。 微槽PESC电池 为了使电池性能最佳化，应该耦合进尽可能多有用波长的光并使电池吸收。为了取得这个效果，下图所示的PERL电池这样的现代电池设计结合了基本光学性质的几个特征。 20世纪90年代效率达24以上的PERL电池 PERL的进一步改进使它们的效率接近25%，主要的改进包括为上表面的钝化生长薄很多的氧化层、准许直接应用双层减反射涂层来增加短路电流、对上面的氧化物和局部上接触点使用退火步骤增加开路电压、改善背面钝化和减少金属化电阻以改善填充因子。 2 丝网印刷电池的局限 2-1 结构 下图显示了典型的晶体硅丝印电池的结构，通常的电池工艺步骤包括：腐蚀除去起始晶片的切割损伤，上表面的化学织构化，，上表面扩散，腐蚀除去扩散氧化物，利用通常的硼掺杂的太阳能级直拉硅片，得到的电池效率一般为12-15%。 丝印方法的主要缺点是工艺中的金属浆料的成本和较低的电池效率。后者基本是由于用丝印限制的可能线宽，浆料和硅之间较高的接触电阻是另一个局限。为了减小线宽，可以用特别细的丝网。然而，这样的丝网用于商业生产容易损坏，尽管其产生的效果往往很好。 2-2 典型性能 丝印印刷方法得到的电池开路电压取决于衬底电阻率，其典型值为580-620mv,短路电流密度为28-32mA/cm2,大面积电池的填充因子为70-75%。丝印金属化一般遮挡大面积电池的上表面的10-15%。 为了保持合理的接触电阻，上表面扩散要求很低的方块电阻。 2-3 改进的技术 丝网印刷方法的局限并非不可避免，它可以通过其他方式解决，为了减少线宽，可以用较细的丝网，但对规模生产而言耐用性不好。 能否利用丝印方法生产高效电池还不确定，好的实验室丝印电池只得到了大约16.7%的效率。 3 埋珊电池 3-1 结构 下图所示的埋珊电池被开发出来，以克服先前所述的丝印电池方法的效率限制。最显著的特征是在上表面利用槽形成电池的金属化。 埋栅太阳电池 3-2 性能分析 埋栅电池取得了超过丝网印刷电池的重大性能优势，性能的改善有多个原