微电子器件期末复习题 第二章 PN结.docVIP

一、 填空题 1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为,则室温下该区的平衡多 子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为和。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带负电荷，N区一侧带正电荷。内建电场的方 向是从N区指向P区。 3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越大。 4、PN结的掺杂浓度越高，则耗尽区的长度就越窄，内建电场的峰值就越大。 5、硅突变结内建电势Vbi可表为，在室温下的典型值为0.7伏特。 6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会窄，势垒区的势垒高度会小。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会宽，势垒区的势垒高度会大。 8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为。若P型区的掺杂浓度，外加电压V=0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为。 9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。 10、PN结的正向电流由空穴扩散电流、电子扩散电流和势垒区复合电流三部分所组成。 11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是多子；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是少子。 12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边复合。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的。 13、PN结扩散电流的表达式为。这个表达式在正向电压下可简化为，在反向电压下可简化为。 14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以复合电流为主；当电压较高时，以扩散电流为主。 15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于少子扩散长度。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为线性的。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡多子浓度，因此该区总的多子浓度中的非平衡多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度，因此该区总的多子浓度中的平衡多子浓度可以忽略。 18、势垒电容反映的是PN结的势垒区边缘的电离杂质电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越大；外加反向电压越高，则势垒电容就越小。 19、扩散电容反映的是PN结的中性区内的非平衡载流子电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越大；少子寿命越长，则扩散电容就越大。 20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在N区中的非平衡少子电荷。这个电荷的消失途径有两条，即反向电流的抽取和少子复合。 21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是降低少子寿命和减薄轻掺杂区厚度。 22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是雪崩倍增、隧道效应和热击穿。 23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越小；结深越浅，雪崩击穿电压就越小。 24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别为（）和（） 二、问答题 1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。 2、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？ 3、什么叫突变结？什么叫单片突变结？什么叫线性缓变结？分别画出上述各种PN结的杂质浓度分布图、内建电场分布图和外加正向电压及反向电压时的少子分布图。 4、PN结势垒区的宽度与哪些因素有关？ 5、写出PN结反向饱和电流ID的表达式，并对影响ID的各种因素进行讨论。 6、PN结的正向电流由正向扩散电流和势垒区复合电流组成。试分别说明这两种电流随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主？当正向电压较大时以什么电流为主？ 7、什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。 8、在工程实际中，一般采用什么方法来计算PN结的雪崩击穿电压？ 9、简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。 10、当把PN结作为开关使用时，在直流特性和瞬态特性这两方面，PN结与理想开关相比有哪些差距？引起PN结反向恢复过程的主要原因是什么？ 11、某突变PN结的，，试求nn0，pn0，pp0和np0的值，并求当外加0.5V正向电压和（-0.5V）反向电压时的np(-xp)和pn(xn）的值。 12、某突变PN结的，，计算该PN结的内建电势Vbi之值。 13、有一个P沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为，另一个N沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为。试分别求这两个MOSFET的衬底费米势，并将这两个衬底费米势之和与上题的Vbi相比较。 14、某突变PN结的，，试问是的多少倍？ 15、已知某PN结的反