微电子器件(3-4) 陈星弼课件.pptVIP

* §3-5 晶体管的反向特性 当发射极开路时，IE = 0 ，但这并不意味VBE = 0 。那么VBE 应当为多少呢？根据边界条件知，当VBC 0 时，在基区中靠近集电结的一侧，有： 1、浮空电势 基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区，但因 IE = 0 ，基区少子得不到补充，使在靠近发射结一侧，有：np(0) npo ，根据边界条件，这说明发射结上存在一个反向电压，这就是 浮空电势 。 已知 NPN 管的共基极电流-电压方程为： (1) (2) 将 IE = 0 代入方程 ① ， 得： 考虑到 VBC 0 以及互易关系 ，得： 于是从上式可解得浮空电势为： 例： 2、反向截止电流 1）IEBO和ICBO p n n p n n IEBO表示集电极开路时发射结的反向饱和漏电流。 ICBO表示集电极开路时发射结的反向饱和漏电流。 定义 ICBO计算公式 ICS的测试电路 ICBO的测试电路 2）ICEO ICEO表示基极开路时集电结的反向饱和漏电流。 定义 p n n + ICBO计算公式 PN结的反向电流由扩散电流和产生电流构成，产生电流不遵守上面得出的关系式： 此时的ICBO就是一个PN结的反向饱和漏电流。 ICEO较ICBO大β倍的原因 + = 对于npn晶体管ICBO是一股集电结的反向饱和漏电流，当基极开路时，流入基区的空穴将在基区积累，使基区电位升高，这样空穴将填充一部分发射结势垒区，使势垒区变窄而正偏，发射结正偏就有发射区电子从发射区注入到基区，空穴向发射区注入，形成InE和IpE，从发射区注入到基区的电子通过基区输运到集电结，形成InC 3、BVCBO BVEBO 定义: BVEBO，集电极开路时，集电极与基极间的击穿电压，一般为发射结的雪崩击穿电压。 BVCBO，发射极开路时，集电极与基极间的击穿电压，一般为集电结的雪崩击穿电压。 4、BVCEO 1)定义: BVCEO，基极开路时，集电极与发射极间的击穿电压. 2)计算公式: 3)公式推导: p n n 基极开路 C-E之间的击穿件 C-E间击穿时 4)负阻特性 负阻现象：在测试BVCEO时，击穿特性如图，击穿发生后，发生电流增加，电压下降的现象，这种现象叫做负阻特性，其最小电压VSUS称为维持电压。 负阻现象形成的原因是晶体管电流放大系数在小电流情况下随电流的增加而增大，C-E间的击穿条件是： 刚开始击穿时ICEO 很小，所以α很小，因此满足击穿条件的M较大，因此击穿电压较高，随着电流的增加 α增加，维持击穿的M减小，击穿电压减小，出现负阻现象 5、发射极与基极间有外电路时的反向电流与击穿电压 BVCEX BVCER BVCES 分析产生此种现象的原因 6、基区穿通效应 1）基区穿通电压 ●什么叫做基区穿通？基区穿通电压？ ●穿通电压 VPT 的计算的计算： 2)基区穿通时的 BVCBO 3)基区穿通时的 BVCEO *