电子科大微电子器件习题3.docVIP

“微电子器件” 填空题（40分） 当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为。由此方程可以看出， 掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越大。 半导体中空穴的电流密度方程为，由此方程可以看出，空 穴的电流密度由漂移电流与扩散电流组成。 半导体的禁带宽度EG越大，则其PN结的内建电势Vbi越大；掺杂浓度越高，则 Vbi越大；温度越高，则Vbi越小。 4、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的电子一边向前扩散，一边复合。每经过一个扩散长度的距离，电子浓度降到原来的。 5、当对PN结外加反向电压时，势垒区内的电场强度会增强，势垒高度会增高，从而使电子向P区的扩散变得困难。 6、大注入条件下是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度。 7、势垒电容反映的是PN结的势垒区电离杂质电荷随外加电压的变化率，而扩散电容则反映的是PN结的中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化率。 8、影响PN结开关管的开关速度的主要因素是正向时存储在中性区中的非平衡少子电荷。为提高PN结开关管的开关速度，应当降低少子的寿命。 9、PN结的击穿有三种机理，它们分别是雪崩倍增、隧道效应和热击穿。 10、提高PN结的雪崩击穿电压的主要措施是降低掺杂浓度和提高结深。 11、晶体管的基区输运系数是指到达集电结的基区少子电流与从发射结注入基区的少子电流之比。为提高应该减薄基区宽度，提高少子寿命。 12、晶体管的注入效率是指从发射结注入基区的少子电流与总的发射极电流之比。为提高，应该使发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。 13、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个内建电场，它对少子在基区中的运动起到加速的作用，使少子的基区渡越时间缩短。 14、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会变宽，使基区宽度变窄，从而使集电极电流增大，这就是基区宽度调变效应。 15、ICS是指发射结短路、集电结反偏时的集电极电流。 16、BVCEO是指基极开路，集电结反偏，当ICEO时的VCE。 二、问答题（30分） 1、什么叫突变结、单片突变结和线性缓变结？分别画出这三种PN结的杂质浓度分布图和内建电场分布图。 2、当把PN结作为开关使用时，在直流特性和瞬态特性这两方面，PN结与理想开关相比有哪些差距？ 3、提高基区掺杂浓度NB会对晶体管的各种特性，如、、、、、、、、、、等产生什么影响？