微电子器件(5-6) 陈星弼课件.pptVIP

* 5.6 MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及频率特性 5.6.1 MOSFET 的小信号交流参数 1、跨导 gm 跨导 代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压 VGS 对漏电流 ID 的控制能力，即反映了 MOSFET 的增益的大小。 非饱和区 饱和区 为了提高 gm ，从器件制造角度，应提高β，即增大 ，提高迁移率 ? ，减小 TOX。从电路使用角度，应提高 VGS 。 2、漏源电导 gds gds 是输出特性曲线的斜率，也是增量输出电阻 rds 的倒数。 非饱和区 当 VDS 很小时 饱和区 实际上，IDsat 随着 VDS 的增加而略微增大，使 ( gds )sat 略大于 0 。降低 ( gds )sat 的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。 3、电压放大系数 ? 在非饱和区，对 ID 求全微分并令其为零，即 饱和区 实际上，因有效沟道长度调制效应等原因，?S 为有限值。模拟电路中的 MOSFET 常工作在饱和区 ，希望 ?S 尽量大，故应尽量增大 gms ，减小 ( gds )sat 。 5.6.2 MOSFET 的小信号高频等效电路 2 、饱和区小信号等效电路 用作放大的 MOSFET 一般工作在饱和区，饱和区 MOSFET 的本征共源极高频小信号等效电路为 上图中各元件的值与工作点有关。 实际上 IDsat 随 VDS 增加而略有增大，rds 应为有限值。 （5-126） 为了提高ωgm，从器件制造角度，主要应缩短沟道长度 L ，其次是应提高载流子迁移率 ? ，所以 N 沟道 MOSFET 比 P 沟道 MOSFET 好；从器件使用角度，则应提高栅源电压 VGS 。 ωgm 称为 跨导的截止角频率，代表当 下降到低频值的 时的角频率。 4 、寄生参数 加上寄生参数后的饱和区等效电路 实际 MOSFET 的寄生参数有源极串联电阻 RS 、漏极串联电阻 RD 、栅极与源、漏区的交迭电容 C?gs 、C?gd 以及 C?ds 。 RS 为源体电阻与源电极接触电阻之和，它在共源极接法中起负反馈作用，使跨导 gm 降低。 RD 为漏体电阻与漏电极接触电阻之和，RS 与 RD 的存在会使 VDsat 增大，gds 减小。 硅栅自对准结构 可减小交迭部分，从而减小 C?gs 与 C?gd 。 C?gs 与 C?gd 由金属栅与漏、源区的交迭部分构成，其中特别是 C?gd 将在漏与栅之间起负反馈作用，使增益降低。 *