微电子器件期末复习真题2005—2006年第二学期期末考试A.docVIP

电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期末考试 微电子器件课程考试题A卷（120分钟） 考试形式：一张A4纸开卷 考试日期：2006年7月6日 课程成绩构成：平时分10分，其中10分，实验10分，期末70分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷老师 填空题（21分） 1、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np(-xp)与外加电压之间的关系可表示为 ，这说明对PN结外加正向电压时，该处的少子浓度np(-xp)比平衡少子浓度np0 。 2、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边 。每经过一个 的距离，非平衡电子浓度降到原来的1/e。 3、在PN结的正向电流中，当正向电压较低时，以 电流为主，当正向电压较高时，以 电流为主。 4、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于 。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为 分布。 5、晶体管的注入效率是指 电流与 电流之比。为了提高注入效率，应当使 区掺杂浓度远大 于 区掺杂浓度。 6、IECO是指 极开路、 结反偏时的 极电流。 7、防止基区穿通的措施是 基区宽度和 基区掺杂浓度。这与防止 效应的措施相一致，但与提 第1页 共7页 高 的措施相矛盾。 8、高频下，晶体管的基区渡越时间对基区输运系数有三个作用，它们分别是： 、 和 。 9、随着信号频率的 ，和Kpmax将会下降。当降到1时的频率称为 ，记为fT；当Kpmax降到1时的频率称为 ，记为 . 10、在组成的四个主要时间常数中，是 电阻与 电容的乘积。当发射极电流IE增加时，将 ，从而使特征频率fT 。 11、提高晶体管高频优值M的主要措施是：提高 、减少 和减少 。 12、在N沟道MOSFET中，VT0的称为增强型，当VGS=0时MOSFET处于 状态；VT0的称为耗尽型，当VGS=0时MOSFET处 于 状态。 13、为了提高N沟道MOSFET的阈电压VT，应该 衬底掺杂浓度NA， 栅氧化层厚度TOX。 14、在MOSFET中，源、漏区掺杂浓度大于沟道区掺杂浓度，源、漏PN结耗尽区主要向 区扩展；而在双极型晶体管中，集电结耗尽区主要向 区扩散。所以MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题 。 第2页 共7页 二、问答题（24分） 1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。 画出用双扩散工艺制造的缓变基区晶体管的剖面图，并解释为什么倒向晶体管的电流放大系数小于正向晶体管的电流放大系数。 第3页 共7页 写出用截止频率表示的高频电流放大系数随频率变化的简化公式，再写出当、和情况下的近似公式，并讨论当时随频率变化的规律。 画出N沟道MOSFET的输出特性曲线图，并说明在栅源电压VGS固定时，沟道电阻随漏源电压VDS的增加而变化的情形。 第4页 共7页 计算题（25分） 1、已知某PN结的反向饱和电流为I0=10-13A，若以当正向测试电流达到10-3A作为正向导通的开始，试求该PN结的正向导通电压VF之值。若此PN结的结面积扩大10倍，则在相同的正向测试电流下，正向导通电压VF将变为多少？ 2、某P+N-N+结的雪崩击穿临界电场EC为，当N-区的长度足够长时，击穿电压VB为144V，试求发生雪崩击穿时的势垒区宽度xdB之值。当N-区长度小于xdB时击穿电压将会下降，为了获得不低于108V的击穿电压，N-区长度至少因为多少？ 第5页 共7页 某缓变基区晶体管的发射结结深，集电结结深，发射区方块