第五章 绝缘栅场效应晶体管.docVIP

绝缘栅场效应晶体管 填空题 1、N沟道MOSFET的衬底是P型半导体，源区和漏区是N型半导体，沟道中的载流子是电子。 2、P沟道MOSFET的衬底是N型半导体，源区和漏区是P型半导体，沟道中的载流子是空穴。 3、当VGS=VT时，栅下的硅表面发生强反型，形成连通源区和漏区的导电沟道，在VDS的作用下产生漏极电流。 4、N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，漏极电流就越大。 5、在N沟道MOSFET中，VT0的称为增强型，当VGS=0时MOSFET处于关断状态；VT0的称为耗尽型，当VGS=0时MOSFET处于导通状态。 6、由于栅氧化层中通常带正电荷，所以P型区比N型区更容易发生反型。 7、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT，应使衬底掺杂浓度NA（），是栅氧化层厚度TOX增大。 8、N沟道MOSFET饱和源漏电压VDsat的表达式是VGS-VT。当时，MOSFET进入饱和区，漏极电流随VDS的增加而不变。 9、由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以在其它条件相同时，N沟道MOSFET的IDsat比P沟道MOSFET的大。为了使两种MOSFET的IDsat相同，应当使N沟道MOSFET的沟道宽度小于P勾搭MOSFET的。 10、当N沟道MOSFET的VGSVT时，MOSFET微弱导电，这称为亚阈区导电。1 11、对于一般的MOSFET，当沟道长度加倍，而其他结构、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：VT不变、IDsat、Ron2、gm。 12、由于源、漏区的掺杂浓度高于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向沟道区扩展，使MOSFET得源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题严重。 13、MOSFET的跨越gm的定义是，它反映栅压VGS对漏极电流ID的控制能力。 14、为提高跨导gm的截止角频率，应当增大，缩短L，提高VGS。 15、阈电压VT的短沟到效应是指，当沟道长度缩短时，VT变小。 16、在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于沟道夹断，而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于速度饱和。 17、为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度，栅氧化层厚度应，源、漏区结深应，衬底掺杂浓度应2NA。 二、问答与计算题 1、画出MOSFET的结构图和输出特性曲线图，并简要叙述MOSFET的工作原理。 2、MOSFET的阈电压的定义是什么？写出阈电压的表达式，并讨论影响阈电压的各种因素。 3、什么是MOSFET的衬底偏置效应？ 4、什么是有效沟道长度调制效应？如何降低有效沟道长度调制效应？ 5、什么是MOSFET的跨导gm？写出gm的表达式，并讨论提高gm的措施。 6、提高MOSFET的最高工作频率fT的措施是什么？ 7、什么是MOSFET的短沟道效应？ 8、什么是MOSFET的按比例缩小法则？ 16、在的P型硅衬底上制作Al栅N沟道MOSFET，栅氧化层厚度为50nm，栅氧化层中正电荷数目的面密度为，求该MOSFET的阈电压VT之值。 17、某处于饱和区的N沟道MOSFET，当VGS=3V时测得IDsat=1mA，当VGS=4V时测得IDsat=4mA，求该管的VT与之值。 18、某N沟道MOSFET的，，求当VGS=6V，VDS分别为2V、4V、6V、8V和10V的漏极电流之值。 19、某N沟道MOSFET的，，求当VDS=6V，VGS分别为1.5V、3.5V、5.5V、7.5V和9.5V时漏极电流之值。 20、某N沟道MOSFET的，，求当VGS分别为2V、4V、6V、8V和10V时通导电阻Ron之值。 21、某N沟道MOSFET的，，求当VDS=6V，VGS分别为1.5V、3.5V、5.5V、7.5V和9.5V时的跨导之值。 22、某N沟道MOSFET的，，求当VDS=4V，VGS分别为2V、4V、6V、8V和10V时漏源电导gd之值。 23、某N沟道MOSFET的沟道长度，阈电压VT=1.5V，电子迁移率为320cm2/V·S，试求当外加栅电压VGS=5V时的饱和区跨导的截止角频率。 24、某铝栅N沟道MOSFET的衬底掺杂浓度nA=1015cm-3，栅氧化层厚度120nm，栅氧化层中有效电荷数的面密度为。试计算其阈电压VT。 25、某铝栅P沟道MOSFET的衬底掺杂浓度nD=1015cm-3，栅氧化层厚度100nm，fMS=-0.6eV,.。若要得到-1.5V的阈电压，应采用沟道区硼离子注入。设注入深度大于沟道下耗尽区最大厚度，则所需的注入浓度为多少？ 26、一个以高掺杂P型多晶硅为栅极的P沟道MOSFET，在源与衬底接地时阈电压VT为-1.5V。当外加5V的衬底偏压后，测得其VT为-