电子科大微电子器件习题2.docVIP

填空题 若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为,则室温下该区的平衡多 子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为和。 在PN结的空间电荷区中，P区一侧带负电荷，N区一侧带正电荷。内建电场的方 向是从N区指向P区。 3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越大。 4、PN结的掺杂浓度越高，则耗尽区的长度就越窄，内建电场的峰值就越大。 5、硅突变结内建电势Vbi可表为，在室温下的典型值为0.7伏特。 6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会窄，势垒区的势垒高度会小。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会宽，势垒区的势垒高度会大。 8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为。若P型区的掺杂浓度，外加电压V=0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为。 9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。 10、PN结的正向电流由空穴扩散电流、电子扩散电流和势垒区复合电流三部分所组成。 11、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边复合。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的。 12、PN结扩散电流的表达式为。这个表达式在正向电压下可简化为，在反向电压下可简化为。 13、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以复合电流为主；当电压较高时，以扩散电流为主。 14、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于少子扩散长度。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为线性的。 15、小注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡多子浓度，因此该区总的多子浓度中的非平衡多子浓度可以忽略。 16、大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度，因此该区总的多子浓度中的平衡多子浓度可以忽略。 17、势垒电容反映的是PN结的势垒区边缘的电离杂质电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越大；外加反向电压越高，则势垒电容就越小。 18、扩散电容反映的是PN结的中性区内的非平衡载流子电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越大；少子寿命越长，则扩散电容就越大。 19、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在N区中的非平衡少子电荷。这个电荷的消失途径有两条，即反向电流的抽取和少子复合。 20、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是降低少子寿命和减薄轻掺杂区厚度。 21、PN结的击穿有三种机理，它们分别是雪崩倍增、隧道效应和热击穿。 22、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越小；结深越浅，雪崩击穿电压就越小。 23、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别为（）和（） 24、晶体管的基区输运系数是指基区中到达集电结的少子电流与从发射结刚注入基区的少子电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生复合，从而使基区输运系数小于1。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度小于基区少子扩散长度。 25、晶体管中的少子在渡越基区的过程中会发生复合；从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子小。 26、晶体管的注入效率是指从发射区注入基区的少子电流与总的发射极电流之比。为了提高注入效率，应当使发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。 27、晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结正偏、集电结零偏时的集电极电流与发射极电流之比。 28、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指发射结正偏、集电结零偏时的集电极电流与基极电流之比。 29、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当减少基区宽度，降低基区掺杂浓度。 30、某长方形薄层材料的方块电阻为，长度和宽度分别为和，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为和。若要获得的电阻，则该材料的长度应改变为。 31、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个内建电场，它对少子在基区中的运动起到加速的作用，使少子的基区渡越时间减少。 32、小电流时会下降。这是由于小电流时，发射极电流中发射结势垒复合电流的比例增大，使注入效率下降。 33、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高注入效率，反而会使其下降。造成发射区重掺杂效应的原因是发射区禁带变窄和俄歇复合增强。 34、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会增大，使基区宽度减少，从而使集电极电流增大，这就是基区宽度调变效应即厄尔利效应。 35、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而不变。实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而增大，这称为厄尔利/基区宽度