微电子器件期末复习真题2005—2006年第二学期期末考试A答案.docVIP

电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期末考试 微电子器件课程考试题A卷（120分钟） 考试形式：一张A4纸开卷 考试日期：200 课程成绩构成：平时分10分，其中10分，实验10分，期末70分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷老师 填空题（21分） 1、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np(-xp)与外加电压之间的关系可表示为np(-xp)=np0exp(qV/kT)，这说明对PN结外加正向电压时，该处的少子浓度np(-xp)比平衡少子浓度np0高。 2、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边复合。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的1/e。 3、在PN结的正向电流中，当正向电压较低时，以势垒区复合电流为主，当正向电压较高时，以扩散电流为主。 4、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于少子扩散长度。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为线性分布。 5、晶体管的注入效率是指从发射区注入基区的少子形成的电流与总的发射极电流之比。为了提高注入效率，应当使发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。 6、IECO是指基极开路、集电结反偏时的集电极电流。 7、防止基区穿通的措施是增加基区宽度和增加基区掺杂浓度。这与防止基区宽度调变效应的措施相一致，但与提高电流放大系数的措施相矛盾。 第1页 共8页 8、高频下，晶体管的基区渡越时间对基区输运系数有三个作用，它们分别是：复合损失使小于1、时间延迟使相位滞后和渡越时间分散使减少。 9、随着信号频率的提高，和Kpmax将会下降。当降到1时的频率称为特征频率，记为fT；当Kpmax降到1时的频率称为最高振荡频率，记为fM。 10、在组成的四个主要时间常数中，是发射极增量电阻与发射结势垒电容的乘积。当发射极电流IE增加时，将减少，从而使特征频率fT提高。 11、提高晶体管高频优值M的主要措施是：提高特征频率fT、减少基极电阻rbb和减少集电结势垒电容CTC。 12、在N沟道MOSFET中，VT0的称为增强型，当VGS=0时MOSFET处于截止状态；VT0的称为耗尽型，当VGS=0时MOSFET处于导通状态。 13、为了提高N沟道MOSFET的阈电压VT，应该提高衬底掺杂浓度NA，提高栅氧化层厚度TOX。 14、在MOSFET中，源、漏区掺杂浓度大于沟道区掺杂浓度，源、漏PN结耗尽区主要向沟道区扩展；而在双极型晶体管中，集电结耗尽区主要向集电区扩散。所以MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题严重。 第2页 共8页 二、问答题（24分） 1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。 两区接触后，由于存在浓度差，结面附近的空穴从浓度高的P区向浓度低的N区扩散，留下不易扩散的带负电的电离受主杂质，使得在结面的P区一侧出现负的空间电荷；同样地，结面附近的电子从浓度高的N区向浓度低的P区中扩散，使结面的N区一侧出现正的空间电荷。由此产生的空穴与电子的扩散电流的方向，都是从P区指向N区。 扩散运动造成了结面两侧一正一负的空间电荷区，空间电荷区中的电场称为内建电场，方向为从带正电荷的N区指向带负电荷的P区。这个电场使空穴与电子发生漂移运动，空穴向P区漂移，电子向N区漂移，由此产生的空穴与电子的漂移电流的方向，都是从N区指向P区，与扩散电流的方向正好相反。 随着扩散的进行，空间电荷区逐渐变宽，内建电场逐渐增强，空穴与电子的漂移运动也逐渐增大，最终使得漂移电流与扩散电流相等，流过PN结的净电流为零，达到平衡状态，此时空间电荷区宽度与内建电场强度也达到一个稳定的数值。 画出用双扩散工艺制造的缓变基区晶体管的剖面图，并解释为什么倒向晶体管的电流放大系数小于正向晶体管的电流放大系数。 需补充一幅图 倒向晶体管的电流放大系数小于正向晶体管的电流放大系数的原因是：（1）集电结的面积一般比发射结的大。在正向管中，从发射结注入基区的少子几乎能够全部被集电结所收集，但在倒向管中，从集电结注入基区的少子只有一部分能被发射极所收集；（2）集电区的掺杂浓度低于基区，使倒向管的注入效率降低；（3）在缓变基区晶体管中，基区内建电场对倒向管的基区少子起减速作用。 写出用截止频率表示的高频电流放大系数随频率变化的简化公式，再写出当、和情况下的近似公式，并讨论当时随频率变化的规律。 解： 当时，,这时与频率几乎无关； 当时，； 当时，，这时电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，或下降10lg2=3dB。这种关系叫