微电子器件期末复习真题2005—2006年第二学期期末考试B答案.docVIP

电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期末考试 微电子器件课程考试题A卷（120分钟） 考试形式：一张A4纸开卷 考试日期：2006年7月6日 课程成绩构成：平时分10分，其中10分，实验10分，期末70分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷老师 填空题（21分） 1、当PN结上的正向电压的值越大时，则PN结的耗尽区长度就越短，耗尽区内的电压峰值就越小，势垒电容的值就越大。 2、当对PN结的P区的边界附近注入非平衡电子时，该区会出现几乎同样浓度的非平衡空穴。小注入条件是指注入P区边界附近的非平衡电子浓度远小于该区的平衡空穴浓度，因此该区总的空穴浓度中的非平衡空穴浓度可以被忽略。 3、PN结扩散电流的表达式为,在反向电压下可简化为。 4、PN结的击穿有三种机理，它们分别是雪崩倍增、隧道效应和热击穿。 5、晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结正偏、集电结零偏时的集电极电流与发射极电流之比。 6、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而不变。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而略有增加，这称为厄尔利效应。 7、BVCBO是指发射极开路、集电结反偏，当时的VCB。 8、基区渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结所需的平均时间。当基区宽度WB减半时，基区渡越时间缩短到原来的 9、在组成的四个主要时间常数中，是集电区体电阻与集电结势垒电容的乘积。 10、对于工作频率不是特别高的一般高频管，中以为主，这时提高特征平率fT的主要措施是减小基区宽度。 11、N沟道MOSFET的衬底是P型半导体，源区和漏区是N型半导体，沟道中的载流子是电子。 12、当N沟道MOSFET的VGS在ViVGSVT范围内时，表面处于弱反型状态，表面电子浓度介于本征载流子浓度和衬底平衡多子浓度之间。当外加VDS后，MOSFET能够微弱导电，这种电流称为亚阈漏极电流。 13、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是。当时，MOSFET进入饱和区，漏极电流随VDS的增加而不变。 14、在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于沟道被夹断，而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于载流子速度饱和。 二、问答题（24分） 1、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？ 耗尽近似：假设空间电荷区内的自由载流子已完全扩散掉，即完全耗尽，电离杂质构成空间电荷区内电荷的唯一来源。 中性近似：假设耗尽区以外区域中的多子浓度仍等于电离杂质浓度，因此这部分区域保持了完全的电中性。 在共基极放大状态的晶体管中，电流从输入端的IE到输出端的IC会发生哪两种亏损？如何减少这两种亏损？ 以PNP管为例，电流从输入端的IE到输出端IC会发生Ine与Inr两部分亏损，即 IC=IE-Ine-Inr 式中，Ine代表从基区注入发射区的电子形成的电子扩散电流，它是发射极电流的一部分，但却与集电极电流无关。Inr代表为补充与注入基区的空穴复合时损失掉的电子而注入基区的电子电流，它与空穴在渡越基区时间时发生少量复合而形成的空穴复合电流Ipe相等。 要提高晶体管的电流传输速率，就应尽量减少这两部分亏损。具体来说，要减少InE，就应使NENB。要减小Inr，就应使WBLB。 3、在实际工作中，一般是怎样测量双极型晶体管的特征频率fT的？ 在实际测量晶体管的特征频率fT时，一般并不需要按fT的定义测到使下降到1时的频率，而是在的频率范围内测量值，然后利用和，就可以根据测试频率f和所测得的计算出： 式中，，这样可以降低对测量仪器和信号源的要求。 MOSFET阈电压VT的定义是什么？写出N沟道MOSFET的VT表达式，并说明调整VT的主要措施。 式中，， 调整阈电压VT的主要措施是通过离子注入来改变衬底杂质浓度NA，可在一定范围内改变栅氧化层厚度TOX。 计算题（25分） 某突变PN结的内建电势Vbi为0.7V，平衡时的势垒区宽度xd0为。若要通过外加电压使该PN结的势垒区宽度xd达到，则应给该PN结外加多大的电压？ ， 由于xd与（Vbi-V）的平方根成正比，所以当xd是xd0的5倍时，（Vbi-V）应该是Vbi的25倍，即： 2、某P+N结的ND=1016cm-3，试求N区的大注入转折电压VKN，并分别求当外加0.5V和0.8V电压时的pn(xn）之值。 当外加0.5V电压时，VVKN，为小注入， 当外加0.8V电压时，VVKN，为大注入， 某双极型晶体管的基区渡越时间，基区少子寿命，有源区方块电阻，发射区方块电阻，试求该晶体管的、