微电子器件期末复习真题2005—2006年第二学期期末考试B.docVIP

电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期末考试 微电子器件课程考试题A卷（120分钟） 考试形式：一张A4纸开卷 考试日期：2006年7月6日 课程成绩构成：平时分10分，其中10分，实验10分，期末70分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷老师 填空题（21分） 1、当PN结上的正向电压的值越大时，则PN结的耗尽区长度就越 ，耗尽区内的电压峰值就越 ，势垒电容的值就越 。 2、当对PN结的P区的边界附近注入非平衡电子时，该区会出现几乎同样浓度的 。小注入条件是指注入P区边界附近的非平衡电子浓度远小于该区的 空穴浓度，因此该区总的空穴浓度中的非平衡空穴浓度可以被忽略。 3、PN结扩散电流的表达式为 ,在反向电压下可简化为 。 4、PN结的击穿有三种机理，它们 、 和 。 5、晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指 结正偏、 结零偏时的 极电流与 极电流之比。 6、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而 。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加 而 ，这称为 效应。 7、BVCBO是指 极开路、 结反偏，当 时的VCB。 第1页，共7页 基区渡越时间是指少子 时间。当基区宽度WB减半时，基区渡越时间缩短到原来的 9、在组成的四个主要时间常数中，是 电阻与 电容的乘积。 10、对于工作频率不是特别高的一般高频管，中以 为主，这时提高特征平率fT的主要措施是 。 11、N沟道MOSFET的衬底是 型半导体，源区和漏区是 型半导体，沟道中的载流子是 。 12、当N沟道MOSFET的VGS在ViVGSVT范围内时，表面处于 状态，表面电子浓度介于 浓度和 浓度之间。当外加VDS后，MOSFET能够 导电，这种电流称 为 漏极电流。 13、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是 。当时，MOSFET进入 区，漏极电流随VDS的增加而 。 14、在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于 ，而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于 。 第2页，共7页 二、问答题（24分） 1、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？ 在共基极放大状态的晶体管中，电流从输入端的IE到输出端的IC会发生哪两种亏损？如何减少这两种亏损？ 第3页，共7页 3、在实际工作中，一般是怎样测量双极型晶体管的特征频率fT的？ 4、MOSFET阈电压VT的定义是什么？写出N沟道MOSFET的VT表达式，并说明调整VT的主要措施。 第4页，共7页 计算题（25分） 某突变PN结的内建电势Vbi为0.7V，平衡时的势垒区宽度xd0为。若要通过外加电压使该PN结的势垒区宽度xd达到，则应给该PN结外加多大的电压？ 2、某P+N结的ND=1016cm-3，试求N区的大注入转折电压VKN，并分别求当外加0.5V和0.8V电压时的pn(xn）之值。 第5页，共7页 某双极型晶体管的基区渡越时间，基区少子寿命，有源区方块电阻，发射区方块电阻，试求该晶体管的、、、之值。 某晶体管的，当f=15MHz时测得，CTE=1pF，CDE=12pF，CTC=0.2pF，r0=50.试求该晶体管的、，以及当IC=10mA时的本征混合参数、、、和。 第6页，共7页 将,,,的N沟道MOSFET用作受VGS控制的可控电阻器，要在VDS较小时获得Ron=0.5的电阻，应加多大的VGS？ 第7页，共7页