《太阳能电池基础与应用》CIGS电池.pdfVIP

电池效率表 CIGS材料基础 CIS与CIGS结构  CuInSe (CIS) ：黄铜矿结构 ，高温时 2 为闪锌矿结构 ；  Cu(In,Ga)Se (CIGS) 通常最佳组分 2 比Ga/(In+Ga)约为0.3。 CIGS材料基础 CIS与CIGS光学性质 CIGS材料基础 制备方法 三步共蒸法  三步共蒸法可形 成Ga组分的双梯 度分布 ；  Cu、Se组分分 布均匀 ；  晶粒大 ，致密 ， 呈柱状生长。 CIGS材料基础 制备方法 后硒化法  后硒化法易于精确 控制化学计量比, 对 设备要求不高, 产业 化的首选工艺;  Ga组分分布较难控 制,很难形成双梯度组 分分布结构 ；  有时在表面用S代 Se ，形成宽带隙 Cu(In,Ga)S2 ，以降 低器件表面复合。 CIGS电池基础 CIGS电池结构 自反型异质结 Mo背接触层 ； CIGS层 ； Ga/(In+Ga) 0.26 to 0.31 背光面 ：p型 受光面 ：n型 思考 CdS缓冲层 ； （1 ）为什么需要 CdS层 ？ ZnO窗口层(i+n)。 （2 ）i-ZnO层有必要吗 ？ 减反通常用MgF2 CIGS电池基础 CIGS电池效率发展趋势  CIGS电池实验室效率快速增长 ，目前已达21.7% ，超过多晶硅电池。  低成本工艺取得突破 ，柔性衬底CIGS电池效率高达20.4%。 CIGS电池基础 CIGS电池成本变化趋势 CIGS电池组件、BOS成本持续稳步下降 ，目前已经可以和晶硅电池竞争。 CIGS电池基础 CIGS电池市场 CIGS电池市场份额稳步提升 ，未来竞争力持续看好。 CIGS电池基础 温度系数小 室外工作特性较商用Si电池优异 ，应用前景更好 ！ CIGS电池基础 抗辐照能力强  抗辐照性能远优于其它类型的太阳电池 ；  空间应用前景好。 CIGS电池基础 单片集成 单片集成, 相对于晶Si电池有巨大优势, 有利于降低组件成本。 组件效率记录 16.5%, 台湾TSMC。 CIGS电池基础 能量损失机制 （1 ）电极遮光损失 ； （2 ）反射损失 ； （3 ）ZnO窗口层吸收损失 ； （4 ）CdS缓冲层吸收损失 ； （5 ）CIGS带