金属与半导体2讲解.pptxVIP

五.结型场效应晶体管（JFET）1.JFET的基本结构和工作原理 利用一P-N结作为栅电极控制电阻，实现对两个欧姆结之间的电流控制。结型场效应晶体管基本上是一个电压控制的电阻，它的阻值是通过改变伸入沟道的耗尽层厚度，即通过改变导电沟道的截面积来调制的。 当VGS=0时，对N沟器件，当VDS值比栅结的接触电势差VD小时，沟道近似于一个阻值一定的电阻。漏电流ID与漏电压VDS成正比。当VDS增加时，耗尽区向N型沟道扩展，沟道变窄，电阻变大，当VDS增加到某一值时，出现沟道夹断，随着VDS的增加，夹断点向源极移动，漏电流不再随VDS而显著增加，电流出现饱和现象。当栅源之间加电压时，漏电流只要增大到比VGS=0时低一个VGS值时，沟道就会夹断。JFET特点：A 电压控制型器件B 多子器件，工作频率高C 与BJT及MOS工艺兼容2.理想JFET I-V特性假设：A 单变突变结B 沟道内杂质分布均匀C 沟道内载流子迁移率为常数D 忽略接触压降E 缓变沟道近似：即空间电荷区内电场沿y方向，而中性沟道区内电场只有X方向的分量。外加电压为零时，平衡栅结耗尽层宽度： （5-44）平衡时的沟道电导： （5-45）栅结上加反向偏置VGS时，耗尽区向沟道区扩展的宽度： （5-46） 沟道电导： （5-47） 使沟道消失的栅源电压称为阈值电压VT或夹断电压VP，由式（5-46）得本征夹断电压为： （5-48）当漏源电压达到饱和电压时，亦会出现沟道夹断： （5-49）3．线性区I~V特性 （5-49）4．夹断前的I~V特性 在沟道y处，实际加在栅结上的偏置电压为 ： （5-50）在沟道y处的导电沟道截面积： （5-51）通过y处的电流： （5-52）根据电流的连续性得漏电流： （5-53）对上式积分得： （5-54）5．夹断后的漏特性 在长沟道器件中忽略夹断点前移对沟道长度的影响得： （5-55）六.金属-半导体场效应晶体管(MESFET) MESFET常采用半绝缘GaAs上外延一N-GaAs，然后蒸发上源、漏和栅形成金-半工艺沟道更短，工作频率更高。 MESFET共具有三个金属-半导体接触，一个肖持基接触作为栅极以及两个当作源极与漏极的欧姆接触。 图(a)所示为MESFET的透视图。主要的器件参数包含栅极长度L、栅极宽度Z以及外延层厚度a。大部分的MESFET是用n型Ⅲ-V族化合物半导体制成的(如砷化镓)，因为它们具有较高的电子迁移率，可以减小串联电阻并且具有较高的饱和速度而使得截止频率增高。 实际制造的MESFET通常在半绝缘衬底上生长一外延层以减少寄生电容。通常以栅极尺寸来叙述一个MESFET。若栅极长度(L)为0.5μm，栅极宽度(Z)为300μm，则称之为0.5μm×300μm的器件。 对传统微波或毫米波器件而言，其栅极长度通常是在0.1μm-1.0μm的范围内。传统外延层厚度a则约为栅极长度的1/3-1/5。而电极间距约是栅极长度的l/4。电流操控能力直接正比于栅极宽度Z，因为沟道电流的截面积与Z成正比。 MESFET的原理结构如下图所示。将源极接地，栅极电压与漏极电压是相对源极测量而得。正常工作情形下，栅极电压为零或是被加以反向偏压，而漏极电压为零或是被加以正向偏压。也就是说VG≤0而VD≥0。对于沟道为n型材料的器件称为n沟道MESFET。在大多数的应用中是采用n沟道MESFET而非p沟道MESFET，这是因为n沟道器件具有较高的电子迁移率。 沟道电阻可被表示为 其中ND是施主浓度，A是电流流动的截面积，而W是肖特基势垒的耗尽区宽度。 当没有外加栅极电压且VD很小时，如图(a)所示，沟道中有很小的漏极电流流通。此电流大小为VD/R。其中R为沟道电阻。因此，电流随漏极电压呈线性变化。 当然，对任意漏极电压而言，沟道电压是由源极端的零渐增为漏极端的VD。因此，沿着源极到漏极肖特基势垒的反向偏压渐强。当VD增加，W也随着增加，使得电流流动的平均截面积减小，沟道电阻R也因此增加，这使得电流以较缓慢的速率增加。 随着漏极电压的持续增加，最终将使得耗尽区接触到半绝缘衬底，如图(b)所示，此现象的发生是当漏极端有W=a。由令V=-VDsat，可以求出相对应的漏极电压值，称为饱和电压VDsat： 在此漏极电压时，源极和漏极将会被夹断或说是被反向偏压的耗尽区完全分隔开。P点为夹断点，此点对应的漏极电流称为饱和电流IDsat。 在夹断点后，当VD进一步增加，则靠近漏极端的耗尽区将逐渐扩大，而P点将往源极端移动，如图(c)所示。然而，P点处的电压维持为VDsat，因此，每单位时间由源极移往P点的电子数目以及沟道内的电流也维持不变，这是因为在沟道中，由源极到P点的电压降维持不变。当漏极电压大于VDsat时，电流基本上维持在IDsat，且与VD无