【课件】蔡老师-第四讲-半导体物理基础知识（一）V1.pptxVIP

微电子学器件;引言;微电子学器件-MOSFET; MOSFET是一种电压控制器件，用输入电压控制输出电流的半导体器件。;一个例子;微电子学器件;半导体物理基础知识（一）;教学内容;半导体材料;半导体的基本特性;CMOS工艺中的应用;本征半导体中的载流子形成;半导体中存在两种载流子（荷载电流的粒子）（1）电子(浓度用n表示)； (2）空穴(浓度用p表示)；金属中只有电子一种载流子，这是半导体同金属的最大差异。;半导体的掺杂;掺杂 为控制半导体的性质，人为掺入杂质的工艺过程 掺杂杂质一般为替位式杂质 扩散和注入是典型的掺杂工艺 杂质浓度是掺杂的重要参数：单位体积中杂质原子数 ;掺杂浓度的分布;?替位式杂质：取代本体原子位置，处于晶格点上；这类杂质原子价电子壳层结构接近本体原子，如Ⅲ、Ⅴ族在Si、Ge(Ⅵ族)中的情况；Ⅱ、Ⅵ族在Ⅲ－Ⅴ化合物中。;掺杂半导体;掺杂半导体的载流子浓度;杂质对半导体导电性的影响;能级和能带;能带;考虑n=3的能带，3s有两个量子态，3p有6个量子态，N个Si原子形成固体时，随着原子间距的减少，3s和3p互相作用并产生交迭，在平衡态的原子间距位置产生能带分裂，但每个原子中有四个量子态处于较底能带，4个量子态则处于较高能带。;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;能带与导电率的关系;半导体的能带与发光波长;掺杂/载流子与能带的关系;受主和受主能级 由于受主杂质掺入而在半导体带隙中新引入的电子能级，该能级未占据电子，是空的，容易从价带获得电子。 ;掺杂/载流子与能带的关系; n 型半导体 ;ｐ型半导体;空 带;费米能级（Fermi Energy）;占据几率和温度的关系;;费米能级与掺杂和载流子浓度的关系;;EF随温度变化的关系;一、半导体材料：在集成电路中的应用 二、半导体的导电特性：载流子、掺杂 三、能带结构：导带、价带、禁带宽度、载流子浓度和能带的关系