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功率放大器(PA)介绍
大体流程大纲
1.基本电路结构与电路原理
2.主要技术指标
3.匹配设计
4.直流偏置电路
5.线性功放设计
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基本电路原理
PA功放分类
按材料分:Si/SiGe---CMOS BJT工艺(Axiom)
GaAs/GaN/InP------ MESFET (RFMD/Skyworks/Triquint/Anadigics、日商)
按晶体管类型分:双极结型晶体管(BJT)异质结双极型晶
体管(HBT)高电子迁移率晶体管(Phemt)
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基本电路原理
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主要技术指标— 工作频带
工作频带是指放大器应满足全部性能指标的连续频率范围。
硅双极型晶体管功率放大器和硅金属氧化物场效应管功率放 大器的工作频率是从300MHz到4GHz.
砷化镓场效应管功率放大器的工作频率是从1GHz到几十G
Hz,通常分为S、L、C、X、Ku、Ka波段等等。
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主要技术指标— 输出功率
最好的功率匹配并不能得到最好的增益匹配。
通常高功率器件的增益低于低功率器件的增益。
在宽带系统中要想得到较好的功率输出是很难实现宽带匹配的。
1.饱和输出功率
当功率放大器的输入功率加大到某一
值后,再加大输入功率并不会改变输
出功率的大小,该输出功率称为功率
放大器的饱和输出功率。
2.1dB压缩点输出功率P1dB
功率放大器增益压缩1dB所对应的输
出功率称为1dB压缩点输出功率,记
作P1dB。
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主要指标—功率效率和功率附加效率
功率放大器的功率效率?0 是功率放大器的射频输出功率与供给晶体管的直流
功率之比。
?
P
?
射频输出功率
直流输入功率
对于双极晶体管情况,?P 称为集电极效率,对于 MOSFET 和 MESFET,称之
为漏极效率。
显然,这种定义并没有考虑晶体管的放大能力,即具有相同功率效率的两个晶
体管的功率增益可以差别很大。通常,在设计功率放大器时,希望用功率增益高的
功率晶体管。为此,又给出另一种定义
?
add
?
射频输出功率 ?
射频输入功率
直流输入功率
?add 称为功率放大器的功率附加效率,它既反映了直流功率转换成射频功率的能力,
又反映了放大射频功率的能力。很明显,用功率附加效率?add 衡量功率放大器的功
率效率是比较合理的。
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主要技术指标—三阶交调
等幅信号输入功率放大器时,输出信号中存在各种阶次的交调分量,其中三阶交 调分量(2?i – ?i+1和?i+1–2?i)和与基波信号角频率(?i和?
i+1)非常接近
,不可能把它从信道中滤除,因此,三阶交调分量就成为干扰信号。
同理,五阶交调分量(3?i – 2?i+1和3?i+1–2?
i)也是干扰信号,但它比三阶
交调分量要小得多,在系统要求不严时可以不考虑。
三阶交调系数
M ? 10 lg
3
P P
3 3
? 10 lg
Pi P
i?1
?dBc ?
式中,Pi和Pi+1是分别对应角频率?i和?i+1的基波信号输出功率;P3是三
阶交调频率(2?i – ?
i+1和2?i+1–?i)处的三阶交调功率。
三阶交调系数是度量微波功率放大器非线性的一项重要指标,不同的系统对它的
要求是不一样的。
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主要技术指标—三阶交调
三阶交调交截点
右图
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