雪崩光电二极管的特性.pdfVIP

摘要 PN 结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反 向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反 向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。雪崩击 穿是 PN 结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像 雪崩一样，增加得多而快，利用这个特性制作的二极管 就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下，载流子能 量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发 形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生 自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1 生 2 ，2 生 4 ，像 雪崩一样增加载流子。 物理 12 张常龙 雪崩光电二极管的介绍 及等效电路模拟 雪崩光电二极管的介绍及 等效电路模拟 [文档副标题] 二〇一五年十月 辽宁科技大学理学院 辽宁省鞍山市千山中路 185 号 雪崩光电二极管的介绍及等效电路模拟 摘 要 ：PN 结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时， 反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿) 。雪崩击穿是PN 结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快，利用这个特性制作 的二极管就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相 碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电 子-空穴对，这就是倍增效应。1 生 2 ，2 生 4 ，像雪崩一样增加载流子。 关键词 ：雪崩 二极管 等效电路 1. 雪崩二极管的介绍 雪崩光电二极管是一种 p-n 结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来 放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的 Read 二 极管结构（即 N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪 崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的 P 区和 I 区）。 P-N 结加合适的高反向偏压，使耗尽层中光生载流子受到强电场的加速作用获得足够高 的动能，它们与晶格碰撞电离产生新的电子一空穴对，这些载流子又不断引起新的碰撞电离， 造成载流子的雪崩倍增，得到电流增益。在 0.6～0.9μm 波段，硅 APD 具有接近理想的性 能。InGaAs （铟镓砷）/InP （铟磷）APD 是长波长（1.3μn，1.55μm）波段光纤通信比较 理想的光检测器。其优化结构如图所示，光的吸收层用 InGaAs 材料，它对 1.3μm 和 1.55μn 的光具有高的吸收系数，为了避免 InGaAs 同质结隧道击穿先于雪崩击穿，把雪崩区与吸收 区分开，即 P-N 结做在 InP 窗口层内。鉴于 InP 材料中空穴离化系数大于电子离化系数， 雪崩区选用 n 型 InP，n-InP 与 n-InGaAs 异质界面存在较大价带势垒，易造成光生空穴的 陷落，在其间夹入带隙渐变的 InGaAsP （铟镓砷磷）过渡区，形成SAGM （分别吸收、分 级和倍增）结构。 在 APD 制造上，需要在器件表面加设保护环，以提高反向耐压性能