数字逻辑与数字系统第四版答案.docxVIP

数字逻辑与数字系统第四版答案 【篇一：数字逻辑 （第六版 白中英 ）课后习题答案】 设计 4 个寄存器堆。 解： 寄存器组 2. 设计具有 4 个寄存器的队列。 解： 输入数据输出数据 3 ．设计具有 4 个寄存器的堆栈 解：可用具有左移、右移的移位寄存器构成堆栈。 栈顶 输入数据 sr1 sr2 输出数据 sr3 压入弹出 4 ．sram 、dram 的区别 解： dram 表示动态随机存取存储器，其基本存储单元是一个晶体管 和一个电容器，是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器，充满 电荷的电容器代表逻辑 “1”，“空”的电容器代表逻辑 “0”。数据存储 在电容器中，电容存储的电荷一般是会慢慢泄漏的，因此内存需要 不时地刷新。电容需要电流进行充电，而电流充电的过程也是需要 一定时间的，一般是 0.2-0.18 微秒（由于内存工作环境所限制，不 可能无限制的提高电流的强度），在这个充电的过程中内存是不能 被访问的。 dram 拥有更高的密度，常常用于 pc 中的主存储器。 sram 是静态的，存储单元由 4 个晶体管和两个电阻器构成，只要供 电它就会保持一个值，没有刷新周期，因此 sram 比 dram 要快。 sram 常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率； 为什么 dram 采用行选通和列选通 解： dram 存储器读 /写周期时，在行选通信号 ras 有效下输入行地 址，在列选通信号 cas 有效下输入列地址。如果是读周期，此位组 内容被读出；如果是写周期，将总线上数据写入此位组。由于 dram 需要不断刷新，最常用的是 “只有行地址有效 ”的方法，按照这种方 法，刷新时，是在 ras 有效下输入刷新地址，存储体的列地址无效， 一次选中存储体中的一行进行刷新。每当一个行地址信号 ras 有效 选中某一行时，该行的所有存储体单元进行刷新。 用 rom 实现二进制码到余 3 码转换 解：真值表如下： 8421 码 余三码 b3b2 b1 g3g2g b0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 g0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 0 1 最小项表达式为： g3=?(5,6,7,8,9)g2=?(1,2,3,4,9)g1=?(0,3,4,7,8) 阵列图为： b32b10 g3g2g1g 用 rom 实现 8 位二进制码到 8421 码转换 g0=?(0,2,4,6,8) 解：输入为 8 位二进制数，输出为 3 位 bcd 码， 12 位二进制数，所 以，所需 rom 的容量为： 28*12=3072 rom 、 eprom 和 eeprom 的区别 解：rom指的是 只读存储器”即read-only memory 。这是一种 线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码 与数据将永久保存 (除非坏掉 )，不能进行修改。 eprom 指的是 “可擦写可编程只读存储器 ”，即 erasable programmable read-only memory 。是采用浮栅技术生产的可编程 存储器，它的存储单元多采用 n 沟道叠栅 mos 管，信息的存储是通 过 mos 管浮栅上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入 过程。编程结束后，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法 泄漏，因此电荷分布维持不变， eprom 也就成为非易失性存储器件 了。当外部能源（如紫外线光源）加到 eprom 上时， eprom 内部的 电荷分布才会被破坏，此时聚集在 mos 管浮栅上的电荷在紫外线照 射下形成光电流被泄漏掉，使电路恢复到初始状态，从而擦除了所 有写入的信息。这样 eprom 又可以写入新的信息。 eeprom 指的是 “电可擦除可编程只读存储器 ”，即 electrically erasable programmable read-only memory 。也是采用浮栅技术 生产的可编程 rom ，但是构成其存储单元的是隧道 mos 管，隧道 mos 管也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不同的是隧 道 mos 管是用电擦除的，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数 量级）。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。 e2prom 的电擦除过程就是改写过程，它具有 rom 的非易失性，又 具备类似 ram 的功能，可以随时改写（可重复擦写 1 万次以上）。 目前，大多数 e2prom 芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供 单电源供电，便可进行读、擦除 /写操作，这为数字系