Plasma工作原理全面.pptVIP

O2 Plasma O2是利用自由原子以化学方法蚀除有机物的, O2 + e ------ 2O＋e CO2 + H2O＋e 优点: 清洗速度比较快,并且清洗的效果显著,比较干净 缺点: 不适宜易氧化的材料的清洗 有机物 * Ar Plasma 利用比较重的离子,以物理方法打破有机物脆弱的化学键并是表面污染物脱离被清洗物表面,清除有机物得方程式为﹕ Ar + e ------ Ar+ + 2e - ----- Ar+ + CxHy 优点:由于Ar为惰性气体,不会氧化材质,因而被 普遍使用 缺点: 清洗效果较弱. 因此O2+ Ar的效果比较好 * Plasma Process: Energetic Process (积极的处理) 适合于Etching/cleaning Moderate Process(中等的处理) 适合于表面活化 * Plasma Parameter (Pc32系列) Electrode configuration（形成电场） Process gas selected for use（Ar） Flow rate / pressure of selected gas(2cc/min) Amount of RF energy applied to the vacuum pump Vacuum chamber threshold pressure （0.2Mpa) * Plasma 功效 W/B的主要污染物为: SMT残留物:松香:主要成分为Polyethylene(聚乙烯) Polypropylene(聚丙烯)等有机物; 癸烷:(SMT清洗液残留物)主要成分: Pdystyrene(聚苯乙烯)Mylar(聚酯薄膜)等有机物; 金属表面氧化物; 已经硬化的光敏元素:,如:焊锡等无机物; 空气中的各种有机无机颗粒及基板表面的残留液体. PLASMA对所有的有机物都有明显得清洗作用,但是 他对硬化焊锡等无机物却物能为力! * 表 面 活 化 表面活化主要用于聚合体(Polymers),通过Plasma的洗,(在O2或Ar Plasma中进行短暂的暴光即可),可以增加表面的粘着力. 原理: 通过Plasma,清除表面的污染物, 使其表面变粗,可以暴露出更多的表面区域,以建立miniature dipoles(微形的双极子),从而增加电性的粘着力.具体请见﹕ * 目前使用的Ar的成份 Ar = 99.99% N2 = 55 ppm O2 = 10 ppm H2 = 5 ppm H2O =20 ppm 总的碳含量 = 10 ppm * Ar的纯度与清洗的效果 在Plasma清洗时,首先利用Vacuum pump将Chamber内的空气抽至设定的gas stable(不可能将空气完全抽空),然后就开始注入Ar,当Ar的含量达到设定的体积后(通过监控Chamber的压力值),RF ON,Plasma产生. 因而,在反映中Ar与一定数量的空气同时存在; 当Ar的纯度不足,即空气的成分稍多时,也不会有太多的影响(Ar分子数量--分子间隔. * Normalized Energy Distribution 分裂分子所须的能量(Dissociation) 原子离子化所需的能量(Ionization) * 实际应用 1.目前PLASMA用于W/B之前清洗基板上附着的有机物(如FLUX的残留﹑清洗剂的残留﹑Epoxy outgas等),以利于打线.其原理如下: Ar + e ------ Ar+ + 2e - ----- Ar+ + CxHy 清洗后的基板﹐可用打线后测推拉力来Monitor其清洗效果﹒ * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ?Plasma工作原理介绍? 工作原理 清洁效果的检验 ? Pull and Shear tests ? Water contact angle measurement ? Auger Electron Spectroscopic Analysis Plasma机构原理图 Plasma产生的原理 Plasma产生的条件 Ar/O2 Plasma的原理 Plasma Process Plasma Parameter－－(pc32系列) Plasma 功效 早期,日本为了迎合高集成度的电子制造技术，开始使用超