第34章微电子集成电路.pptVIP

集成电路基础工艺 与制造工艺 ? 集成电路设计与制造的主要流程框架 设计 芯片检测 单晶、外 延材料 掩膜版 芯片制 造过程 封装 测试 系 统 需 求 集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证 集成电路芯片设计过程框架 From 吉利久教授 是 功能要求 行为设计（ VHDL ） 行为仿真 综合、优化 —— 网表 时序仿真 布局布线 —— 版图 后仿真 否 是 否 否 是 Sing off — 设计业 — — 制造业 — 芯片制造过程 由氧化、淀积、离子注入或蒸 发形成新的薄膜或膜层 曝 光 刻 蚀 硅片 测试和封装 用掩膜版 重复 20-30 次 集成电路芯片的显微照片 Vss poly 栅 Vdd 布线通道 参考孔 有源区 N + P + 集成电路的内部单元 ( 俯视图 ) N 沟道 MOS 晶体管 CMOS 集成电路 ( 互补型 MOS 集成电路 ) ： 目前应用最为广泛的一种集成电路，约占 集成电路总数的 95% 以上。 第 3 章 集成电路工艺简介 ? 图形转换： ? 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电 子束光刻 ? 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 ? 掺杂： ? 离子注入 退火 ? 扩散 ? 制膜： ? 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 ? CVD ： APCVD 、 LPCVD 、 PECVD ? PVD ：蒸发、溅射 图形转换：光刻 ? 光刻三要素： 光刻胶、掩膜版和光刻机 ? 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 ? 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其 化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶 液中的溶解特性改变 ? 正胶： 分辨率高，在超大规模集成电路 工艺中，一般只采用正胶 ? 负胶： 分辨率差，适于加工线宽 ≥ 3 ? m 的 线条 正胶：曝光 后可溶 负胶：曝光 后不可溶 第 4 章 CMOS 集成电路加工过程简介 一、硅片制备 二、前部工序 Mask 掩膜版 CHIP ? 掩膜 1 ： P 阱光刻 具体步骤如下： 1 ．生长二氧化硅： Si- 衬底 P-well Si- 衬底 SiO 2 2 ． P 阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀 3 ．去胶 4 ．掺杂：掺入 B 元素 涂胶 显影 刻蚀 去胶 掺杂 掩膜 2 ： 光刻有源区 ? 淀积氮化硅 ? 光刻有源区 ? 场区氧化 ? 去除有源区氮化硅及二氧化硅 ? 生长栅氧 ? 淀积多晶硅 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除氮化硅及二氧化硅 长栅氧 淀积多晶硅 掩膜 3 ： 光刻多晶硅 掩膜 4 ： P+ 区光刻 1 、 P+ 区光刻 2 、离子注入 B+ ，栅区有多晶硅做掩蔽，称为 硅栅自对准工艺。 3 、去胶 光刻多晶硅 掩膜 5 ： N+ 区光刻 1 、 N+ 区光刻 2 、离子注入 P+ 3 、去胶 P+ 区光刻 B+