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半导体物理 习题 习题13 习题13 习题13 习题13 Company Logo LOGO * 姓名：张 祺 学号：2111415008 13.有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为（1）77K；（2）300K;(2)500K；（3）800K时导带中电子浓度（本征激发载流子浓度数值查图3-7）。 解： （1）77K时，导带有效状态密度为，且已知 计算杂质全部电离的浓度上限Nmax 所以此时杂质未全部电离，半导体处于低温弱电离区或中间电离区，假设半导体处于低温弱电离区，则导带中的电子浓度为： 假设不成立 半导体处于中间电离区，导带中电子浓度约为 （2）如图1所示，300K时，n型Si处于过渡区，杂质全部电离。查表得： 说明该n型Si是非简并半导体，且本征激发可忽略。 所以导带电子浓度： （3）500K时，n型Si中杂质已全部电离，且本征激发已经开始起作用（不能 忽略）。此时，电中性方程为： 又有 可解得： （4）800K时，n型Si处于本征激发区，杂质全部电离，本征激发开始起主要 作用。此时， (II) 故 图1 n型Si中电子浓度与温度的关系图 Company Logo
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