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第五章 场效应三极管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 下页 总目录 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子 （多数载流子），故称为单极型三极管。 分类： 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N 沟道 P 沟道 N 沟道 N 沟道 P 沟道 P 沟道 下页 上页 首页 5.1 绝缘栅场效应管 1. N 沟道增强型 MOS 场效应管 ⑴ 结构 P 型衬底 N + N + B s g d SiO 2 铝 P 衬底杂质浓度较低， 引出电极用 B 表示。 N + 两个区杂质浓度很高， 分别引出源极和漏极。 栅极与其他电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接。 s g d B 下页 上页 首页 P 型衬底 N + s g d B N + 开启电压，用 u GS(th) 表示 ⑵ 工作原理 当 u GS 增大到一定值时， 形成一个 N 型导电沟道。 N 型沟道 u GS U GS(th) 时 形成导电沟道 V GG 导电沟道的形成 假设 u DS = 0 ， 同时 u GS 0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大 u GS ，则耗尽层变宽。 又称之为反型层 导电沟道随 u GS 增大而增宽。 下页 上页 首页 u DS 对导电沟道的影响 u GS 为某一个大于 U GS(th) 的固定值， 在漏极和源极之间加正电压，且 u DS u GS - U GS(th) 即 u GD = u GS - u DS U GS(th) 则有电流 i D 产生， i D 使导电沟道发生变化。 当 u DS 增大到 u DS = u GS - U GS(th) 即 u GD = u GS - u DS = U GS(th) 时， 沟道被预夹断， i D 饱和。 P 型衬底 N + N + s g d B V GG N 型沟道 V DD u DS 对导电沟道的 影响 下页 上页 首页 ⑶ 特性曲线 I DO U GS(th) 2 U GS(th) 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 i D /mA u DS /V O u GS /V i D /mA O 2 ( 1) ? ? GS D DO GS(th) u i I U 当 u GS ≥ U GS(th) 时 下页 上页 截止区 转移特性曲线可近似用以下公式表示： 首页 2. N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子， 使 u GS = 0 时， 产生 N 型导电沟道。 当 u GS 0 时，沟道变窄， 达到某一负值时被夹断， i D ≈ 0 ，称为夹断电压。 u GS 0 时，沟道变宽， i D 增大。 g d s B 下页 上页 首页 P 型衬底 N + N + s g d B N 型沟道 + + + + + + 耗尽型： u GS = 0 时有导电沟道。 增强型： u GS = 0 时无导电沟道。 特性曲线 I DSS U GS(off) 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 I DSS i D /mA u DS /V O u GS =0 -2 -1 +1 +2 u GS /V O i D /mA 下页 上页 截止区 首页 场效应管的主要参数 1. 直流参数 ⑴ 饱和漏极电流 I DSS 是耗尽型场效应管的一个重要参数。 它的定义是当栅源之间的电压 u GS 等于零， 而漏源之间的电压 u DS 大于夹断电压时对应的漏极电流。 ⑵ 夹断电压 U GS(off) 是耗尽型场效应管的一个重要参数。 其定义是当 u DS 一定时， 使 i D 减小到某一个微小电流时所需的 u GS 值。 下页 上页 首页 ⑶ 开启电压 U GS(th) U GS(th) 是增强型场效应管的一个重要参数。 其定义是当 u DS 一定时， 使漏极电流达到某一数值时所需加的 u GS 值。 ⑷ 直流