平面磁电阻与磁选矿厂有宽带电力电子应用非接触式电流传感器外文文献翻译、中英文翻译.docVIP

附录1：外文翻译 平面磁电阻与磁选矿厂有宽带电力电子应用非接触式电流传感器 摘要 高频电力电子变换器需要无损、准确和隔离的电流测量。通过印刷电路（PCB）轨迹的高频电流在迹线周围产生不均匀的磁场。而且非均匀的磁场可以通过磁场集中器（MCONs）使用导电材料进行归一化。在这项研究中，已经提出了一种新的技术，使用磁电阻（MR）传感器与平面磁集中器（MCON）利用导电材料的高频无接触电流检测。研究了不同的MCONs对各向异性磁共振（AMR）传感器高频无接触电流检测性能的影响。实验表明，配备了不同的MCONs的AMR传感器相对于快速上升阶跃电流的性能。利用不同的MCONs对传感器响应进行详细的频率分析，以确定对电流传感器的检测带宽的影响。 1 介绍 高频变换器中电流信息的提取是当前的主要挑战之一。高频功率电子学随着近年来高频功率电子学的发展和新一代宽禁带（WBG）功率器件的引入，无源元件以及电路体积变得非常小型化。为了快速、有效和高效地控制功率变换器，无损、准确的电流测量是一个基本的先决条件。传统的电流传感技术不再适用于高频转换器中的电流测量。因此，有必要研究替代的方法和技术来测量电流。这些方法应该产生具有快速、准确、拓扑无关和无损的当前SEN源。此外，使用允许高频功率转换器（＞1 MHz）的WBG半导体具有更高的电压器件（＞30 V）需要隔离的电流传感器。 基于霍尔效应的传感器和基于磁电阻（MR）的传感器是隔离和非接触电流检测的最流行的解决方案之一。霍尔效应传感器广泛应用于不同的应用领域，多年来观察到了显著的性能改进[1 ] -〔5〕。使用具有高载流子迁移率的材料（例如GaAs和InAs）制造霍尔元件，导致了1 MHz（6）的灵敏度和检测带宽的显著改善。然而，该技术要求主电流路径被中断并通过感测装置。 基于霍尔元件的非接触电流传感器的引入是通过平面磁场集中器（MCONs）〔7〕、〔8〕的应用而实现的。霍尔元件响应磁场，这是正常的迹线取向。因此，与常规方法不同，霍尔元件被放置在磁集中器下面，该磁场集中器向传感器提供正常场。这些磁集中器利用铁磁材料将磁场集中在霍尔传感元件上。最先进的基于非接触霍尔效应的电流传感器的带宽限制在250 kHz（7），〔8〕，从而使它们不适用于高频（＞1 MHz）的无接触电流测量。 MR传感器可以基于金属合金和半导体来开发，从而提高设计灵活性。MR传感器具有良好的灵敏度和测量精度，因为它们比基于霍尔效应的传感器具有更少的漂移。它们可以响应AC和DC场，并且具有非常高的检测带宽，这使得它们成为电力电子转换器中高频电流检测的有吸引力的选择。与基于霍尔效应的传感器不同，MR传感器对水平磁场进行响应，该水平磁场能够利用诸如铜（Cu）或铝（Al）的导电材料作为平面MCONs。几个研究小组正在研究技术，以提高霍尔效应以及基于MR和GMR的电力电子应用设备的灵敏度（9）-（17）的电流感应的灵敏度和准确度。 在这项研究中，我们提出了一种新的技术，使用MR传感器的平面磁集中器（MCON）利用导电材料的增强带宽非接触电流检测。研究了不同的MCONs对各向异性磁共振（AMR）传感器高频无接触电流检测性能的影响。市售AMR传感器霍尼韦尔HMC1021S〔18〕被用作非接触电流监测装置。AMR传感器被用于检测由定制设计的步进电流发生器产生的非常快的瞬态电流的电流。设计了六种不同材料和厚度的磁集中器（MCONs），分析了在检测到20μA的快速瞬态电流对传感器性能的影响。记录了具有不同MCONs的传感器响应，并对A进行了详细的分析。分析了MCONs的作用。用不同的MCONs对传感器响应进行频率分析，分析MCONs对AMR传感器的传感性能和检测带宽的影响。 2 MR传感器的MCON 在典型的电力电子应用中，MR传感器被放置在印刷电路板（PCB）上的当前汽车行驶轨迹的顶部或下方（底层），如图1所示。传感器与电流迹线没有物理接触，并且通过传感器芯片内的AMR传感元件检测通过迹线的电流产生的磁场。当低频电流通过PCB迹线时，由电流产生的磁场是均匀的并且均匀分布在电流迹线周围。图1（a）和（b）在低频和高频电流下可视化磁场分布。与AMR传感器的默认检测轴相交的磁通线产生响应。 在传感器输出中，正比于跟踪中的电流MAG。然而，在高频下，由于趋肤效应，流过迹线的大部分电流集中在迹线的边缘附近。高频电流产生的磁通线在迹线周围不再均匀，大部分磁通线集中在电流迹线的边缘附近。感测元件附近的场分布非常弱，并且由传感器检测到相对较弱的场。其结果是，传感器在高频电流传感中给出了其灵敏度的假印象。然而，用MCONs对磁场进行归一化，在传感区域中产生均匀的场分布，并且增强了传感器的检测带宽。 一种放大和归一化由高频电流产生的磁场的方法是在传感器周围折叠载流迹线（