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IGBT模块的损耗
? IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管（续流FWD、整流）芯片的损耗，
主要是IGBT和FWD产生的损耗。
? IGBT不是一个理想开关，体现在：
1）IGBT在导通时有饱和电压– Vcesat 2）IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff 这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗，Eon和Eoff造成开关
损耗。导通损耗 + 开关损耗 = IGBT总损耗。
? FWD也存在两方面的损耗，因为：
1）在正向导通（即续流）时有正向导通电压：Vf
2）在反向恢复的过程中有反向恢复能耗：Erec。
Vf造成导通损耗，Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗 = FWD总
损耗。
? Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此
IGBT/FWD芯片技术不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。
梁知宏 IFCN AIM
2007.09
页 2
IGBT模块的损耗-IGBT导通损耗
IGBT的Vcesat-Ic特性曲线 ? Vcesat和Ic的关系可以用左图的近似
线性法来表示：
Vcesat = Vt0 + Rce × Ic
? IGBT的导通损耗：
Pcond = d * Vcesat × Ic，其中d 为IGBT的导通占空比
? IGBT饱和电压的大小，与通过的电流
（Ic），芯片的结温（Tj）和门极电
压（Vge）有关。
? 模块规格书里给出了IGBT饱和电压的
特征值：VCE,Sat，及测试条件。
? 英飞凌的IGBT模块规格书里给出了两
个测试条件下的饱和电压特征值：
1）Tj=25°C；2）Tj=125°C。电流均为
IC,NOM（模块的标称电流），VGE=+15V
梁知宏 IFCN AIM
2007.09
页 3
IGBT模块的损耗-IGBT开关损耗
? IGBT之所以存在开关能耗，是因为在开通和关断 IGBT开通瞬间
的瞬间，电流和电压有重叠期。
? 在Vce与测试条件接近的情况，Eon和Eoff可近似
地看作与Ic和Vce成正比：
Eon = EON × Ic/IC,NOM × Vce/测试条件
Eoff = EOFF × Ic/IC,NOM × Vce/测试条件
? IGBT的开关损耗：
Psw = fsw × (Eon + Eoff) ，fsw为开关频率。
? IGBT开关能耗的大小与开关时的电流（Ic）、电
IGBT关断瞬间
压（Vce）和芯片的结温（Tj）有关。
? 模块规格书里给出了IGBT开关能耗的特征值：
E ，E ，及测试条件。
ON OFF
? 英飞凌的IGBT模块规格书里给出了两个测试条件
下的开关能耗特征值：
1）Tj=25°C；2）Tj=125°C。电流均为IC,NOM（模 块的标称电流）。
梁知宏 IFCN AIM
2007.09
页 4
IGBT模块的损耗-FWD导通损耗
FWD的Vf-If特性曲线 ? Vf和If的关系可以用左图的近似线性法来表示：
Vf = U0 + Rd × If
? FWD的导通损耗：
Pf = d * Vf × If，其中d 为FWD的导通占空比
? 模块规格书里给出了FWD的正向导通电压的特征
值：VF，及测试条件。
Rd
? FWD正向导通电压的大小，与通过的电流（If）
和芯片的结温（Tj）有关。
? 英飞凌的IGBT模块规格书里给出了两个测试条件
下的正向导通电压特征值：
1）Tj=25°C；2）Tj=125°C。电流均为IF,NOM（模 块的标称电流）。
U0
梁知宏 IFCN AIM
2007.09
页 5
IGBT模块的损耗-FWD开关损耗
FWD的反向恢复 ? 反向恢复是FWD的固有特性，发生在由正向
导通转为反向阻断的瞬间，表现为通过反
向电流后再恢复为反向阻断状态。
? 在Vr与测试条件接近的情况，Erec可近似
地看作与If和Vr成正比：
Erec = EREC × If/IF,NOM × Vr/测试条件
? FWD的开关损耗：
Prec = fsw × Erec，fsw为开关频率。
? FWD反向恢复能耗的大小与正向导通时的电
流（If）、电流变化率dif/dt、反向电压
（Vr）和芯片的结温（Tj）有关。
? 模块规格书里给出了IGBT反向恢复能耗的
特征值：EREC，及测试条件。
? 英飞凌的IGBT模块规格书里给出了两个测
试条件下的反向恢复能耗特征值：
1）Tj=25°C；2）Tj=125°C。电流均为IF,NOM （模块的标称电流）。
梁知宏 IFCN AIM
2007.09
页 6
IGBT模块的损耗-小结
IGBT
? 导通损耗：
1）与IGBT芯片技术有关
2）与运行条件有关：与电流成正比，
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