《太阳能电池基础与应用》太阳能电池第二章2.docxVIP

第二章 半导体基础 2.1 半导体中电子态和能带 2.2 半导体中的杂质与缺陷 2.3 平衡状态载流子分布 非平衡载流子的产生与复合 2.4 漂移电流与扩散电流 2.5 2.6 载流子输运方程 2.3 平衡状态载流子分布 导带电子浓度与价带空穴浓度 ? 要计算半导体中的导带电子浓度， 必须先要知道导带中能量间隔内有 多少个量子态，空间允许载流子占 据的能态密度，g (E) 。 c 0 ? ? n g c ( ) ( ) E f E dE F ? 又因为这些量子态上并不是全部被 电子占据，因此还要知道能量为E 导带电子的分布： 的量子态被电子占据的几率是多少， fF(E)。 价带空穴的分布： ? 将两者相乘后除以体积就得到区间 的电子浓度，然后再由导带底至导 带顶积分就得到了导带的电子浓度。 2.3 平衡状态载流子分布 状态密度 ? 导带底状态密度： 2 dk dE N( ? 2 E) 3 4πk (2π) E(k) ? 2 2 ? k E ? C m * 2 C * 3/ 2 (2m ) N ? ? ( ( C E) C E E C 2 3 2π ? 1/ ) 2 * m 式中， 为导带底电子状态密度有效质量。 C ? 价带顶状态密度： * 3/ 2 (2m ) V ? ? V N ( ) (E E E V 2 3 2π ? 1/ ) 2 * m 式中， 为价带顶电子状态密度有效质量。 V 2.3 平衡状态载流子分布 状态密度 令 dZ dE E 这里g(E)为能量E处单位能量间隔内的电子状态数目—电子态密度。 （其中已考虑到同一能级上自旋相反的两个状态。） 2.3 平衡状态载流子分布 费米—狄拉克分布 ? 在一定温度下，半导体中载流子（电子、空穴）的来源： （1）电子从价带直接激发到导带，在价带留下空穴的本征激发； （2）施主或受主杂质的电离激发，与载流子的热激发过程相对应， 还会伴随有电子与空穴的复合过程。 ? 在一定温度下，半导体材料内载流子的产生和复合达到热力学平 衡，称此动态平衡下的载流子为热平衡载流子。 ? 电子作为费米子，服从费米—狄拉克统计分布，费米—狄拉克分 布函数代表能量为E的量子态被电子占据的可能，或表示被电子填 充的量子态占中量子态的比率，具体公式如下： f (E) ? exp E 1 ? E F k T B ? 1 式中：EF —— 费米能级 kB —— 波尔兹曼常数 2.3 平衡状态载流子分布 费米—狄拉克分布 1 ? T= 0K 时：E ≤ EF ， 量子态完全被占； f E) 1 ( ? ? 1 exp( ) ? ?? 1 E＞EF ， ( ? ? 量子态被占的可能为零。 f E) 0 1 exp( ) ? ?? ? T＞0K时：电子获得多 余能量进入高能级，此 时高于EF的能量状态被 电子占据的几率不为零。 ? 能量为EF的量子态被占 据的可能为1/2： f ( ? ? F E E ) F 1 2 2.3 平衡状态载流子分布 费米—狄拉克分布 热平衡态的温度T，导带的电子分布函数： f c ? (k, ? r ) ? f 1 (E, E ,T ) ? 0 F ( E ? E k T ? )/ e F B 1 热平衡态的温度T，价带的空穴分布函数： f v ? (k, ? r ) 1 ? ? 1 f (E, E ,T ) ? 0 F ( E ? E k T ? )/ e F B 1 2.3 平衡状态载流子分布 费米—狄拉克分布 空穴状态概率： (1-f(E))与f(E)函数关于费米能级EF对称。 f (E) ? exp 1 E ? F k T B E ? 1 2.3 平衡状态载流子分布 麦克斯韦—玻尔兹曼分布 ? 如果费米能级EF和导带底EC、价带顶EV均相距很远，费米狄 拉克分布近似于麦克斯韦—玻尔兹曼分布。 ? 如果导带底满足 E E k T 导带底部电子分布函数： c ? ?? F B f ( )/ 0 ( , , ) E E T e ? ? E E F F k T B F ? ?? ? 如果价带顶满足 E E k T 价带底部空穴分布函数： V B 1? ? ? f ( )/ 0 ( , , ) E E T e E E F F k T B 显然，麦克斯韦玻尔兹曼分布可以简化电子和空穴的浓度的计算 2.3 平衡状态载流子分布 导带中电子浓度与价带中空穴浓度 假设费米能级始终位于禁带中： 0 ? ? n g c (E) ( )dE f E F 积分下限：Ec；积分上限：设为无穷大 * 3/ 2 (2m ) g ? ? (E) 4π ( c E E c c 3 h 1 )2 将 代入上式 E E ? f (E) exp( F ) ? ? F kT 2.3 平衡状态载流子分布