《半导体器件物理》MOSFET的直流电流电压方程.ppt

5.3 MOSFET 的直流电流电压方程 推导时采用如下假设： ① 沟道电流只由漂移电流构成，忽略扩散电流； ② 采用缓变沟道近似，即： ? ?? 这表示沟道厚度沿 y 方向的变化很小，沟道电子电荷全部由Vgs感应出来而与Vds无关； ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数； ④? 采用强反型近似，即认为当表面少子浓度达到体内平衡多子浓度（也即也即ФS = ФS,inv时沟道开始导电； ⑤QOX 为常数，与能带的弯曲程度无关。 1、漏极电流的一般表达式 当在漏极上加 VD VS 后，产生漂移电流， 2、沟道电子电荷面密度 Qn 当 VG VT 后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随 VG 增大 ，表面势 ?S 也几乎维持 ?S,inv 不变。于是， 称为 MOSFET 的 增益因子? 由 Qn 的表达式可知，在 y = L 的漏极处， 此时所对应的漏极电流称为 饱和漏极电流 IDsat ，这一点正好是抛物线的顶点。 VDsat 也由dID/dVDS=0解出 对于 P 沟道 MOSFET，可得类似的结果， 5.3.2 饱和区的特性 实测表明，当 VDS VDsat 后，ID 随 VDS 的增大而略有增大，采用有效沟道长度调制效应解释。 已知当 VDS = VDsat 时，V (L) = VDsat ，Qn (L) = 0 。 当 VDS VDsat 后，沟道中满足 V = VDsat 和 Qn = 0 的位置向左移动 ?L，即有效沟道长度缩短了。 ① 代表 VDS VDsat ，② 代表 VDS = VDsat ， ③ 代表 VDS VDsat 而 V ( L - ?L ) = VDsat 。 当 VDS VDsat 后，可以将 VDS 分为两部分，其中的 VDsat 降在有效沟道长度 ( L - ?L ) 上，超过 VDsat 的部分 ( VDS - VDsat ) 则降落在长度为 ?L 的耗尽区上。根据耗尽区宽度公式可计算出 ?L 为： 5.4 MOSFET 的亚阈区导电 本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS VT ，并假设当 VGS VT 时 ID = 0 。但实际上当 VGS VT 时，MOSFET 仍能微弱导电，这称为 亚阈区导电 。这时的漏极电流称为亚阈电流 定义：使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压 ，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB ，能带弯曲量为 q?FB ，表面处于 本征状态。 Vi VGS VT 时，?FB ?S 2?FB，表面处于 弱反型状态，反型层中的少子浓度介于本征浓度与衬底平衡多子浓度之间。 5.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只计入扩散电流而忽略漂移电流。 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为 将 n(0)、n(L) 和 b 代入 IDsub 中，得： 于是得到亚阈电流的表达式为 5.4.2 MOSFET 的亚阈区特性 1、IDsub 与 VGS 的关系 当 VGS = 0 时 IDsub ≠ 0，IDsub 与 VGS 之间为指数关系。 ? 2、IDsub 与 VDS 的关系 当 VDS = 0 时 IDsub = 0；当 VDS 较小时，IDsub 随 VDS 的增大而增大；但是当 后，IDsub 变得与 VDS 无关，即 IDsub 对 VDS 而言会发生饱和。 3、亚阈区栅源电压摆幅 S 定义亚阈区栅源电压摆幅 S 为亚阈区转移特性斜率的倒数，即： 对于作为开关管使用的 MOSFET，要求 S 的值要尽量小。减小 S 的措施： 5.4.3 阈电压的测量 1 联立方程： 2、 法 3、 1 ?A 法 将漏极电流达到某一规定值时的 VGS 作为阈电压 VT 。 5.5 MOSFET 的击穿电压 1、漏源击穿电压 BVDS (a) 漏 PN 结雪崩击穿 当衬底掺杂浓度小于 1016 cm-3 后，BVDS 就主要取决于 VGS 的极性、大小和栅氧化层的厚度 TOX (b) 源、漏之间的穿通 2、栅源击穿电压 BVGS BVGS 是使栅氧化层发生击穿时的 VGS 。 当 TOX 80 nm 时， 当 TOX 为 100 ~ 200 nm 时，BVGS =