《半导体器件物理》第1章绪论.ppt

第1章 绪论 1.1 硅基CMOS工艺技术 1.2 发展方向 1.3 存在问题 1.1主流：硅基CMOS工艺技术 化合物半导体、新材料、某些领域的应用取得进展，但还远不具备替代硅基工艺的条件。 数以万亿美元的设备和科技投入，使硅基工艺形成非常强大的产业能力。 科研投入使人们对硅及其衍生物各种属性的了解十分深入、十分透彻，非常宝贵的知识积累。 1.2 发展方向 1.2.1 继续缩小器件的特征尺寸：More Moore 1 缩小进程 70年代: 十几微米~几微米 80年代:几微米~1微米 90年代:亚微米~深亚微米 21世纪前10年:几百纳米~几十纳米 2010年:70纳米以下，22纳米 2 提高产出量，产品的速度、可靠性提高，降低成本。 3 摩尔定律：集成度每3年提高4倍，特征尺寸缩小√2倍--Intel公司创始人Gordon E. Moore博士1965年 4 基础研究 纳米（10-9 m）量级，飞秒（10-15 s）量级的新器件将遇到器件结构、关键工艺、集成技术、散热问题、材料体系以及理论基础 1.2.2系统集成芯片(SOC) More than Moore 印制电路板 PCB中IC之间的连线延迟，PCB可靠性以及重量等限制了系统性能,随着系统向高速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化的发展，将整个系统集成在一个IC芯片--系统级芯片（System On Chip，简称SOC） 1.2.3微电子与其他学科的结合 1 MEMS（微电子机械系统或称微机电系统） :微电子技术和精密机械加工技术相互融合,集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源于一体的微机电系统。 降低机电系统的成本，完成许多大尺寸机电系统所不能完成的任务 2生物芯片: 微电子与生物技术紧密结合的以DNA芯片等为代表的生物工程芯片, 在极短的时间内检测或发现遗传基因的变化, 对遗传学研究、疾病诊断、疾病治疗和预防、转基因工程等具有极其重要的作用 医用芯片 人造器官：如人造心脏、人造皮肤 医疗器械： 1.3 存在问题 1.3.1 工艺技术 光刻技术 193纳米的光刻机可以实现130纳米,100纳米以下需要新的光刻技术 极紫外线(EUV), X射线,电子束,离子束 当硅片直径大于300毫米时,甩胶很难保证厚度均匀,可用化学汽相淀积CVD (Chemical Vapor Deposition) 1.3.2 栅氧化层减薄的限制 为了抑制短沟道效应、减小亚阈值斜率，增大电流驱动能力，提高工作速度，栅氧化层厚度要按比例缩小。 100nm栅长和1.5V电压下，栅氧化层约3nm，10层原子，要将厚度误差控制在10%，精度是原子线度 击穿、隧穿电流、多晶硅耗尽等引起器件性能退化 1 可靠性 当电场强度超过107V/cm时，碰撞电离产生大量高能量电子，越过SiO2禁带，出现本征击穿。 在本征击穿发生之前，由于隧穿效应使电子越过SiO2势垒，形成隧穿电流，还对氧化层造成损伤。 使氧化层有30年的寿命，氧化层中最大电场强度不能超过8MV/cm。 工作电压，氧化层厚度 5V 11nm 3.3V 6.5nm 2.5V 4.5nm 1V 2nm 2 隧穿电流的影响 形成栅极泄漏电流，静态功耗增加。 隧穿电流加入沟道电流，影响器件导通性能，甚至使其不正常。 造成阈值电压的增加（起伏）、跨导下降。 3 多晶硅耗尽的影响 多晶硅靠近SiO2界面能带弯曲，电荷耗尽层分布出现，在电场为5MV/cm的情况下，耗尽层厚度约为0.6nm，使有效栅压损失0.3V，当栅氧层厚度为6nm时，其引起的等效栅氧层厚度增加就非常显著了。 对栅电容的影响： 4 反型层量子化的影响 当器件尺寸缩小，电场很强时，量子效应造成反型层内电荷偏离表面，造成电学上栅氧化层厚度增大0.5nm。 对栅电容影响： 对阈值电压的影响： 采用二维电子气描述，用量子力学模型，能级量子化。用三角形势井: 能级为： 要使反型电子密度达到经典值QCL，能带要有更大的弯曲。 对纳米器件，电源电压小于1V，阈值电压的设计就很困难。 栅氧化层越薄、沟道掺杂越高，表面电场越强，量子效应的影响越显著。 1.3.3 迁移率退化和速度饱和 1 迁移率退化 反型层中的载流子，除像体内载流子受到带电中心的库仑散射及晶格振动的声子散射外，还受到粗糙表面的表面散射，库仑散射中还增加了界面电荷及反型载流子本身的作用，除体声子外，还有与表面联系的表面声子，使反型载流子的迁移率远小于体迁移率。 饱和速度降低 强横向电场使速度饱和，表面的饱和速度低于体饱和速度。 速度饱和后，漏电流不再随栅压的平方规律增加，