《半导体器件物理》第4章_4横向沟道工程.ppt

4.3 横向沟道工程 4.3.1 体硅HALO（Pocket)结构 理论分析 将一个高斯盒应用到该结构的沟道中并不计可动载流子，可得 在大角度离子注人工艺中，实际的HALO浓度分布是其位置的复杂函数，与注人剂量和能量有关。在这里为了简化，采用平均浓度Np和横向长度Lp来表示，它们满足如下的关系： 解高斯盒的边界条件为 可以发现，在沟道中有一个最小表面电势点，该点对电子的势垒最大，并位于靠近源端的HALO区。 通过表面势解析模型，对沟道方向求导数为零，得到该位置和相应的最小电势。沟道的势垒高度φb可以由φ0和φmin得到。下图给出了沟道电子势垒高度变化△φb和Leff以及VDS的变化关系曲线。 该图表明，在低的漏电压情况下，势垒高度随沟道长度的减小而增加，即出现RSCE。很明显，有HALO的结构对沟道势垒高度φb的降低有减缓的作用，即可以有效抑制短沟道效应。 如果定义阈值电压为表面势等于两倍体费米势时的栅电压，则因有效沟道长度减小而出现的阈值电压漂移可表示如下，y是一个与工艺相关的拟合系数。 如果0k1，上式的两项都是负值，故仅仅出现阈值电压因有效沟道长度减小而发生的减小，即通常的SCE；如果k＞1，上式的第二项是正值，将出现阈值电压因有效沟道长度减小而发生增加，即是通常的RSCE。在一般的HALO工艺中，0=k=3。 HALO注人越深，则因子k越大。根据解析分析可以发现，在体硅HALO结构的CMOS器件中阈值电压的漂移基本是正比于Np?LP，而不是HALO注人剂量NPLP，这个结论也被相关的数值分析所证实。 在实际的器件工艺中，HALO区因注人的能量、角度不同而导致不同的阈值电压行为。下图给出了由模型计算和实验得到的在不同的注人能量和剂量下，HALO型NMOS器件的阈值电压因有效沟道长度减小而出现的短沟道效应情况。 (a)( VDS=0.05V,注人剂量Q = 8 x l012cm-2)；(b) (VDS＝0.05V，注人能量E＝60keV) 从该图可以发现，当使用高的注入能量(60keV）或高的剂量(8 x l012cm-2）时，该器件出现反向短沟道效应（RSCE）。模型也同样预言了这一结果。 高的注人能量或高的剂量增加了HALO结构的长度和平均浓度，从而导致沟道势垒高度的上升。从器件设计的观点看，必须仔细地从优化器件性能上进行折中，因为RSCE会导致器件驱动电流的减小。 另一个重要的短沟效应是随漏端电压增大出现沟道势垒减小，即DIBL效应。下图给出了由数值分析和模型计算得到的有Pocket注人和没有Pocket注人的器件的DIBL效应。 实线代表ΔVT降低首次到达-100mV的地方，虚线是ΔVT峰值升高首次到达100mV的地方。器件的参数是tox＝4nm，xj=60nm，Nsub=2.5 X 1017cm-3，Np＝4.5 X 1017cm-3，Lp＝60nm。 * * Vsub为衬底电位，φ为阈值电压对应的表面势，Nsub是不包括HALO的沟道区掺杂浓度。 用上述边界条件解方程可得到沿沟道的表面势分布，下图给出了用表面势模型得到的、在不同的有效沟道长度和漏电压下沿沟道方向电势的分布情况。 （tox=4nm，xj=60nm，Nsub=2.5x1017cm-3，Np=4.5 X 10l7cm-3，Lp=60nm) 如果k＝0或NP＝Nsub，上式为普通MOSFET阈值电压漂移的表达式。因此，体硅HALO结构CMOS器件的阈值电压漂移可分为两部分：一部分是常规MOSFET阈值电压因有效沟道长度减小而发生的减小(roll一off )，另一部分是因为HALO区而出现的阈值电压因有效沟道长度减小而发生的增加（roll一up）。 对于一定的阈值电压和结构参数的设计容差，下式可以给出相应的表征HALO结构特性的k值范围。